ARM宣布首款采用臺積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術的多核心64位元ARMRv8-A處理器測試晶片問世。模擬基準測試結(jié)果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+ 制程技術，此測試晶片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)。

ARM宣布首款采用臺積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術的多核心64位元ARMRv8-A處理器測試晶片問世。模擬基準測試結(jié)果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+ 制程技術，此測試晶片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)。

此款測試晶片已成功獲得驗證(2015年第4季已完成設計定案)，為ARM與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積公司最先進的10奈米FinFET制程完成設計定案。此外，亦可供SoC設計人員利用基礎IP(標準元件庫、嵌入式記憶體及標準I/O)開發(fā)最具競爭力的SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

此款最新的測試晶片是ARM與臺積電長期致力于先進制程技術的成果，植基于2014年10月宣布的首次10奈米FinFET技術合作。ARM與臺積電共同的IC設計客戶亦獲益于提早取得ARM Cortex-A72處理器的ARM Artisan實體IP與16奈米FinFET+設計定案，此款高效能處理器已獲當今多款暢銷高階運算裝置采用。