近年來(lái)，我國(guó)對(duì)集成電路、存儲(chǔ)等半導(dǎo)體領(lǐng)域投資加大，成效也漸漸凸顯出來(lái)，紫光在存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展也非常迅速，預(yù)計(jì)今年年底可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)，再過(guò)些時(shí)日，我國(guó)或擺脫對(duì)國(guó)外存儲(chǔ)產(chǎn)品的嚴(yán)重依賴。

日前，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。

之前紫光國(guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來(lái)紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對(duì)于公司來(lái)說(shuō)，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。

如今三星、東芝、鎂光現(xiàn)已能極好的量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，希望紫光能夠快速追趕，跟上技術(shù)發(fā)展的步伐。