三菱電機株式會社于3月1日開始發(fā)售使用MOSFET1作為開關器件和壓注模封裝技術的“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要用于變頻冰箱等應用，具有低電流狀態(tài)下運行效率高的特點。
1 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET金屬氧化膜半導體場效應晶體管
2 在密封模具中注入經(jīng)加熱加壓的樹脂后加壓成形的方法。量產(chǎn)性和可靠性俱佳。
3 Dual-In-Line Package Intelligent Power Module： 雙列直插式智能功率模塊
搭載MOSFET的超小型DIPIPM
新產(chǎn)品的特點
◇有助于小容量逆變器降低損耗
·開關元件采用MOSFET，低電流區(qū)的導通電壓與原有產(chǎn)品相比降低約60%4
·通過優(yōu)化MOSFET制造工藝，降低恢復損耗
·通過優(yōu)化控制IC，降低控制IC損耗
4 在0.5A，25℃的狀態(tài)下，與本公司超小型DIPIPM“PS219C3”相比
◇高散熱結(jié)構確保高可靠性
·通過采用低損耗開關元件和高散熱絕緣膜，抑制結(jié)溫上升
◇有助于最終產(chǎn)品的小型化和低成本
·高散熱結(jié)構，使得最終產(chǎn)品的散熱設計變得容易
·內(nèi)置帶限流電阻的BSD5，可減少外圍元件的數(shù)量
5 Bootstrap Diode：自舉電路用高壓二極管
發(fā)售概要
銷售目標
本公司于1997年將壓注模結(jié)構的智能功率半導體模塊“DIPIPM”產(chǎn)品化。該產(chǎn)品內(nèi)置開關元件及進行驅(qū)動與保護的控制IC，為逆變器系統(tǒng)小型化及節(jié)能化作出了貢獻。
近年來，在變頻冰箱等家電產(chǎn)品上，年耗電量已成為產(chǎn)品的節(jié)能指標。除了在額定工況下減少損耗，還要求減少在實際使用范圍中占較高比例的低電流區(qū)的損耗。
本公司此次計劃發(fā)售的超小型DIPIPM，采用了低電流區(qū)導通電壓和恢復損耗均較小的MOSFET，低損耗控制IC和高散熱結(jié)構，此舉將有助于降低變頻冰箱等小容量逆變器的年耗電量以及實現(xiàn)最終產(chǎn)品的小型化和低成本。
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