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[導(dǎo)讀]三菱電機株式會社于3月1日開始發(fā)售使用MOSFET1作為開關(guān)器件和壓注模封裝技術(shù)的“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要用于變頻冰箱等應(yīng)用,具有低電流狀態(tài)下運行效率高的特點。1 Metal Oxide Semiconduct

三菱電機株式會社于3月1日開始發(fā)售使用MOSFET1作為開關(guān)器件和壓注模封裝技術(shù)的“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要用于變頻冰箱等應(yīng)用,具有低電流狀態(tài)下運行效率高的特點。

1  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:MOSFET金屬氧化膜半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

2  在密封模具中注入經(jīng)加熱加壓的樹脂后加壓成形的方法。量產(chǎn)性和可靠性俱佳。

3  Dual-In-Line Package Intelligent Power Module: 雙列直插式智能功率模塊

搭載MOSFET的超小型DIPIPM

新產(chǎn)品的特點

◇有助于小容量逆變器降低損耗

·開關(guān)元件采用MOSFET,低電流區(qū)的導(dǎo)通電壓與原有產(chǎn)品相比降低約60%4

·通過優(yōu)化MOSFET制造工藝,降低恢復(fù)損耗

·通過優(yōu)化控制IC,降低控制IC損耗

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4  在0.5A,25℃的狀態(tài)下,與本公司超小型DIPIPM“PS219C3”相比

◇高散熱結(jié)構(gòu)確保高可靠性

·通過采用低損耗開關(guān)元件和高散熱絕緣膜,抑制結(jié)溫上升

◇有助于最終產(chǎn)品的小型化和低成本

·高散熱結(jié)構(gòu),使得最終產(chǎn)品的散熱設(shè)計變得容易

·內(nèi)置帶限流電阻的BSD5,可減少外圍元件的數(shù)量

5 Bootstrap Diode:自舉電路用高壓二極管

發(fā)售概要

 

銷售目標(biāo)

本公司于1997年將壓注模結(jié)構(gòu)的智能功率半導(dǎo)體模塊“DIPIPM”產(chǎn)品化。該產(chǎn)品內(nèi)置開關(guān)元件及進行驅(qū)動與保護的控制IC,為逆變器系統(tǒng)小型化及節(jié)能化作出了貢獻。

近年來,在變頻冰箱等家電產(chǎn)品上,年耗電量已成為產(chǎn)品的節(jié)能指標(biāo)。除了在額定工況下減少損耗,還要求減少在實際使用范圍中占較高比例的低電流區(qū)的損耗。

本公司此次計劃發(fā)售的超小型DIPIPM,采用了低電流區(qū)導(dǎo)通電壓和恢復(fù)損耗均較小的MOSFET,低損耗控制IC和高散熱結(jié)構(gòu),此舉將有助于降低變頻冰箱等小容量逆變器的年耗電量以及實現(xiàn)最終產(chǎn)品的小型化和低成本。

主要規(guī)格

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