漢天下單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片出貨超1億顆
[導(dǎo)讀]去年年中,漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U),截止到2014年2月底前近9個(gè)月的時(shí)間累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)1億顆!經(jīng)過(guò)了近一年的市場(chǎng)嚴(yán)酷考驗(yàn),HS8292(U)/HS8
去年年中,漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U),截止到2014年2月底前近9個(gè)月的時(shí)間累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)1億顆!經(jīng)過(guò)了近一年的市場(chǎng)嚴(yán)酷考驗(yàn),HS8292(U)/HS8269(U)已經(jīng)成功應(yīng)用于包含展訊和聯(lián)發(fā)科基帶平臺(tái)的各類手機(jī)中,成為2G功能機(jī)/智能機(jī)首選的射頻功放/前端芯片解決方案, 目前已經(jīng)占據(jù)全球2G功能機(jī)/智能機(jī)市場(chǎng)35%左右的份額,市場(chǎng)占有率世界第一。
HS8292(U)/HS8269(U)采用了先進(jìn)的CMOS PA技術(shù)和功率合成技術(shù),封裝采用LGA Flip-Chip封裝工藝,整個(gè)芯片只需要一顆Die,而傳統(tǒng)的GSM GaAs功放/前端芯片一般會(huì)采用3-4顆Die才能實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)水平遠(yuǎn)超其他同類PA產(chǎn)品。HS8292(U)/HS8269(U)具有以下優(yōu)點(diǎn):
第一、采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,由于CMOS ESD防護(hù)技術(shù)非常成熟,因而芯片具有優(yōu)良的ESD防護(hù)性能,ANT端ESD防護(hù)能力在8kV以上;
第二、采用Flip-Chip焊接技術(shù),與傳統(tǒng)的GaAs PA通過(guò)銀漿接地不同,不存在芯片受潮再焊接后的銀漿脫落現(xiàn)象,芯片的防潮性能更好;
第三、經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的高低溫負(fù)載牽引測(cè)試,魯棒性高、性能穩(wěn)定、品質(zhì)可靠;
第四、采用單芯片CMOS PA來(lái)實(shí)現(xiàn)GSM射頻前端芯片功能,性價(jià)比高,生產(chǎn)周期短,供貨充足。
HS8292(U)/HS8269(U)采用了先進(jìn)的CMOS PA技術(shù)和功率合成技術(shù),封裝采用LGA Flip-Chip封裝工藝,整個(gè)芯片只需要一顆Die,而傳統(tǒng)的GSM GaAs功放/前端芯片一般會(huì)采用3-4顆Die才能實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)水平遠(yuǎn)超其他同類PA產(chǎn)品。HS8292(U)/HS8269(U)具有以下優(yōu)點(diǎn):
第一、采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,由于CMOS ESD防護(hù)技術(shù)非常成熟,因而芯片具有優(yōu)良的ESD防護(hù)性能,ANT端ESD防護(hù)能力在8kV以上;
第二、采用Flip-Chip焊接技術(shù),與傳統(tǒng)的GaAs PA通過(guò)銀漿接地不同,不存在芯片受潮再焊接后的銀漿脫落現(xiàn)象,芯片的防潮性能更好;
第三、經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的高低溫負(fù)載牽引測(cè)試,魯棒性高、性能穩(wěn)定、品質(zhì)可靠;
第四、采用單芯片CMOS PA來(lái)實(shí)現(xiàn)GSM射頻前端芯片功能,性價(jià)比高,生產(chǎn)周期短,供貨充足。





