三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產采用20納米制程技術的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。

      三星電子利用現有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術限制。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構成，而DRAM則由一個電容器和一個晶體管串聯構成，因此后者更難實現制程技術的微細化。然而，三星電子通過對芯片設計和制程技術的改良，研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(Modified Double Patterning)”和“超薄介電層成型技術(Atomic layer deposition)”，順利實現了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產。

      “改良版雙重照片曝光技術 (Modified Double Patterning)”僅利用現有的光刻機設備即可生產20納米DDR3，而且更為下一代10納米級DRAM的量產做了核心技術儲備，為半導體制程技術建立了一個新的里程碑。同時，電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲單元的優(yōu)越性能。

      在這些新技術的基礎上，新一代20納米DDR3 DRAM的生產率比25納米DDR3提高了30%以上，更比30納米級DDR3提高了超過一倍。同時，基于20納米的DDR3 DRAM模組的耗電量同比基于25納米的DDR3降低了25%，將為全球IT企業(yè)提供最優(yōu)質的“超節(jié)能綠色IT方案”。

      三星電子存儲芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部門負責人全永鉉副總裁表示：“三星電子的新一代超節(jié)能型20納米DDR3內存將在包括電腦和移動市場在內的IT領域迅速站穩(wěn)腳跟，并進一步占據主流地位。今后，三星電子將繼續(xù)領先競爭對手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲方案，與全球客戶攜手為世界IT市場的快速增長做出貢獻。”

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      未來，三星電子將致力于研發(fā)10納米級的新一代DRAM產品，突破半導體技術的瓶頸，持續(xù)推進存儲器市場的發(fā)展。

      據市場調研機構Gartner預測，2014年全球DRAM市場產值將由2013年的356億美元增長至379億美元。