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[導讀]2014年2月13日 –許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET,在

2014年2月13日 –許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET,在尺寸減小的同時可實現(xiàn)卓越的開關速度和功耗性能。

該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道MOSFET。與競爭對手的器件相比,這類P溝道MOSFET具有更好的開關性能品質因數(FOM),比競爭對手提供的最佳器件還要高出67%。此外,其導通損耗減小了46%,開關損耗減小了38%。因此,設計人員能夠縮小尺寸并提高系統(tǒng)整體性能。

相比競爭對手提供的5 mm x 6 mm封裝解決方案,該系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封裝,可節(jié)省電路板空間。此外,F(xiàn)DMC86xxxP系列可滿足客戶對于耗散更少功率實現(xiàn)更高能效的更低 熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導通電阻RDS(ON)。

飛兆半導體低壓產品營銷總監(jiān)Mike Speed表示:“眾所周知,傳統(tǒng)產品因功耗高而效率低下,不適用于如今的電源和電機控制電路??蛻羧绻D而采用FDMC86xxxP系列器件,那么在其應用中就能使功耗降低多達50%,從而提升系統(tǒng)整體性能,并降低其終端產品中的能耗,有助于節(jié)省全球資源?!?BR>
主要功能:

•極低RDS(ON)中壓P溝道硅技術,優(yōu)化得到較低的Qg
•非常適合快速開關應用以及負載開關應用
•100%經過UIL®測試
•符合 RoHS 標準

空間受限型應用以及我們的客戶和其所服務的市場要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高,基于對這一需求的理解,飛兆半導體量身定制結合了功能、工藝和創(chuàng)新封裝技術的節(jié)能型解決方案,從而能使您的電子設計與眾不同。

價格:1000 件的價格(美元)
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