全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查，受惠智能手機、平板電腦與固態(tài)硬盤的強勁成長，2013年NAND Flash需求年增率高達46%，產(chǎn)值較2012年成長22%，來到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應用逐漸滲透到企業(yè)端用戶帶動下，預期NAND Flash需求可達36%成長，產(chǎn)值可突破270億美元，TrendForce研究協(xié)理楊文得表示，“隨著制程演進，NAND Flash成本已逐漸降至OEM廠商的甜蜜點，因此未來將有更多的終端裝置導入NAND Flash?！?BR>
從制程轉(zhuǎn)進的腳步來看，NAND Flash業(yè)者從去年第三季以來陸續(xù)轉(zhuǎn)進1X奈米制程，同時20奈米等級的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應用在各種移動設備中，因此去年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%，成為NAND Flash主流制程。隨著制程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰(zhàn)，各家NAND Flash業(yè)者紛紛加速開發(fā)3D-NAND Flash的技術(shù)來突破單位面積儲存容量的限制，而自從三星在去年八月份宣告將以3D-NAND Flash進軍服務器等級固態(tài)硬盤以來，使得其他陣營更加速3D-NAND Flash的開發(fā)腳步。

楊文得表示，觀察各家目前3D-NAND Flash開發(fā)進度，三星電子從去年下半年開始生產(chǎn)”V-NAND”以來，憑借著自行開發(fā)的固態(tài)硬盤控制芯片，縮短整合控制芯片與NAND Flash芯片的時效，并且充分發(fā)揮3D-NAND Flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢，透過以堆棧24層所組成的128Gb芯片，目標直接揮軍服務器等級固態(tài)硬盤，并且在去年第四季開始已陸續(xù)送樣給服務器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進行測試，因此三星電子目前在3D-NAND Flash應用進度領(lǐng)先其他業(yè)者，而三星的V-NAND制造基地將以韓國廠與新設立的中國西安廠為主。

而開發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)”BiCS”的東芝與SanDisk陣營同樣也展現(xiàn)明顯的企圖心。該陣營的3D-NAND Flash產(chǎn)品將從今年第二季起開始小量試產(chǎn)，目標在2015年前能夠順利銜接現(xiàn)有1Y與1Z奈米技術(shù)，而為了后續(xù)3D-NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝和SanDisk所共同投資位于日本三重縣四日市的第五號半導體制造廠第二期工程擴建計劃也預計今年第三季完工，自今年第四季起可順利進入規(guī)?；a(chǎn)。

另一方面，SK海力士與美光、英特爾陣營也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍圖將接棒16奈米，計劃將在今年第二季左右可送樣測試，最快將在第四季進入量產(chǎn)。因此，雖然2014年多數(shù)廠商的3D-NAND Flash進展多半停留在送樣階段，TrendForce預期2014年3D-NAND Flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3D-NAND Flash的開發(fā)速度確實有超乎預期的進展，隨著廠商在2015年將開始量產(chǎn)3D-NAND的局勢來看，預期在經(jīng)過2014年的軍備競賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級數(shù)下滑，屆時儲存容量性價比將可有效提升。