意法(ST)為微軟Xbox One Kinect感應(yīng)器提供關(guān)鍵元器件
[導(dǎo)讀]2013年1月14日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)與微軟 Microsoft?密切合作,為新款Xbox One Kinect感應(yīng)器提供關(guān)鍵元器件。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼美洲區(qū)總
2013年1月14日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)與微軟 Microsoft?密切合作,為新款Xbox One Kinect感應(yīng)器提供關(guān)鍵元器件。
意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼美洲區(qū)總裁Bob Krysiak表示:“意法半導(dǎo)體贏得微軟的重要設(shè)計(jì)證明,我們擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力,能夠提高最先進(jìn)的解決方案。因?yàn)橛幸幌盗?strong>元器件獲采用,意法半導(dǎo)體成為微軟價(jià)值鏈的重要組成部分,將幫助微軟提升Xbox One玩家的娛樂體驗(yàn)?!?BR>
意法半導(dǎo)體是業(yè)界領(lǐng)先的ASIC制造商,擁有各種知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)和制造工藝。其先進(jìn)的制造工藝包括最先進(jìn)的CMOS和處理速度最快、功耗更低且更簡單的FD-SOI (全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)。FD-SOI擁有非常出色的性能,技術(shù)節(jié)點(diǎn)可達(dá)28nm及以下。
此外,作為全球領(lǐng)先的電源管理芯片廠商之一,意法半導(dǎo)體的解決方案可實(shí)現(xiàn)節(jié)能、高功率密度和低待機(jī)功耗等優(yōu)勢(shì)。
自2013年11月22日上市后,Xbox One的銷售量已超三百萬臺(tái)。
意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼美洲區(qū)總裁Bob Krysiak表示:“意法半導(dǎo)體贏得微軟的重要設(shè)計(jì)證明,我們擁有雄厚的技術(shù)實(shí)力,能夠提高最先進(jìn)的解決方案。因?yàn)橛幸幌盗?strong>元器件獲采用,意法半導(dǎo)體成為微軟價(jià)值鏈的重要組成部分,將幫助微軟提升Xbox One玩家的娛樂體驗(yàn)?!?BR>
意法半導(dǎo)體是業(yè)界領(lǐng)先的ASIC制造商,擁有各種知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)和制造工藝。其先進(jìn)的制造工藝包括最先進(jìn)的CMOS和處理速度最快、功耗更低且更簡單的FD-SOI (全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)。FD-SOI擁有非常出色的性能,技術(shù)節(jié)點(diǎn)可達(dá)28nm及以下。
此外,作為全球領(lǐng)先的電源管理芯片廠商之一,意法半導(dǎo)體的解決方案可實(shí)現(xiàn)節(jié)能、高功率密度和低待機(jī)功耗等優(yōu)勢(shì)。
自2013年11月22日上市后,Xbox One的銷售量已超三百萬臺(tái)。





