3D NAND Flash起飛 2年內(nèi)市占達(dá)1/5
[導(dǎo)讀]全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查，受惠智能手機(jī)、平板電腦與固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，2013年NAND Flash需求年增率高達(dá)46%，產(chǎn)值較2012年成長(zhǎng)22%，來(lái)到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應(yīng)用逐漸
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查，受惠智能手機(jī)、平板電腦與固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，2013年NAND Flash需求年增率高達(dá)46%，產(chǎn)值較2012年成長(zhǎng)22%，來(lái)到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應(yīng)用逐漸滲透到企業(yè)端用戶帶動(dòng)下，預(yù)期NAND Flash需求可達(dá)36%成長(zhǎng)，產(chǎn)值可突破270億美元，TrendForce研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，“隨著制程演進(jìn)，NAND Flash成本已逐漸降至OEM廠商的甜蜜點(diǎn)，因此未來(lái)將有更多的終端裝置導(dǎo)入NAND Flash?！?BR>
從制程轉(zhuǎn)進(jìn)的腳步來(lái)看，NAND Flash業(yè)者從去年第三季以來(lái)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1X奈米制程，同時(shí)20奈米等級(jí)的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中，因此去年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%，成為NAND Flash主流制程。隨著制程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰(zhàn)，各家NAND Flash業(yè)者紛紛加速開(kāi)發(fā)3D-NAND Flash的技術(shù)來(lái)突破單位面積儲(chǔ)存容量的限制，而自從三星在去年八月份宣告將以3D-NAND Flash進(jìn)軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤以來(lái)，使得其他陣營(yíng)更加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)腳步。
楊文得表示，觀察各家目前3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度，三星電子從去年下半年開(kāi)始生產(chǎn)”V-NAND”以來(lái)，憑借著自行開(kāi)發(fā)的固態(tài)硬盤控制芯片，縮短整合控制芯片與NAND Flash芯片的時(shí)效，并且充分發(fā)揮3D-NAND Flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，透過(guò)以堆棧24層所組成的128Gb芯片，目標(biāo)直接揮軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤，并且在去年第四季開(kāi)始已陸續(xù)送樣給服務(wù)器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進(jìn)行測(cè)試，因此三星電子目前在3D-NAND Flash應(yīng)用進(jìn)度領(lǐng)先其他業(yè)者，而三星的V-NAND制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的中國(guó)西安廠為主。
而開(kāi)發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)”BiCS”的東芝與SanDisk陣營(yíng)同樣也展現(xiàn)明顯的企圖心。該陣營(yíng)的3D-NAND Flash產(chǎn)品將從今年第二季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前能夠順利銜接現(xiàn)有1Y與1Z奈米技術(shù)，而為了后續(xù)3D-NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝和SanDisk所共同投資位于日本三重縣四日市的第五號(hào)半導(dǎo)體制造廠第二期工程擴(kuò)建計(jì)劃也預(yù)計(jì)今年第三季完工，自今年第四季起可順利進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)。
另一方面，SK海力士與美光、英特爾陣營(yíng)也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍(lán)圖將接棒16奈米，計(jì)劃將在今年第二季左右可送樣測(cè)試，最快將在第四季進(jìn)入量產(chǎn)。因此，雖然2014年多數(shù)廠商的3D-NAND Flash進(jìn)展多半停留在送樣階段，TrendForce預(yù)期2014年3D-NAND Flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)速度確實(shí)有超乎預(yù)期的進(jìn)展，隨著廠商在2015年將開(kāi)始量產(chǎn)3D-NAND的局勢(shì)來(lái)看，預(yù)期在經(jīng)過(guò)2014年的軍備競(jìng)賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級(jí)數(shù)下滑，屆時(shí)儲(chǔ)存容量性價(jià)比將可有效提升。
從制程轉(zhuǎn)進(jìn)的腳步來(lái)看，NAND Flash業(yè)者從去年第三季以來(lái)陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)1X奈米制程，同時(shí)20奈米等級(jí)的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中，因此去年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%，成為NAND Flash主流制程。隨著制程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰(zhàn)，各家NAND Flash業(yè)者紛紛加速開(kāi)發(fā)3D-NAND Flash的技術(shù)來(lái)突破單位面積儲(chǔ)存容量的限制，而自從三星在去年八月份宣告將以3D-NAND Flash進(jìn)軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤以來(lái)，使得其他陣營(yíng)更加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)腳步。
楊文得表示，觀察各家目前3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度，三星電子從去年下半年開(kāi)始生產(chǎn)”V-NAND”以來(lái)，憑借著自行開(kāi)發(fā)的固態(tài)硬盤控制芯片，縮短整合控制芯片與NAND Flash芯片的時(shí)效，并且充分發(fā)揮3D-NAND Flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，透過(guò)以堆棧24層所組成的128Gb芯片，目標(biāo)直接揮軍服務(wù)器等級(jí)固態(tài)硬盤，并且在去年第四季開(kāi)始已陸續(xù)送樣給服務(wù)器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進(jìn)行測(cè)試，因此三星電子目前在3D-NAND Flash應(yīng)用進(jìn)度領(lǐng)先其他業(yè)者，而三星的V-NAND制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的中國(guó)西安廠為主。
而開(kāi)發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)”BiCS”的東芝與SanDisk陣營(yíng)同樣也展現(xiàn)明顯的企圖心。該陣營(yíng)的3D-NAND Flash產(chǎn)品將從今年第二季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前能夠順利銜接現(xiàn)有1Y與1Z奈米技術(shù)，而為了后續(xù)3D-NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝和SanDisk所共同投資位于日本三重縣四日市的第五號(hào)半導(dǎo)體制造廠第二期工程擴(kuò)建計(jì)劃也預(yù)計(jì)今年第三季完工，自今年第四季起可順利進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)。
另一方面，SK海力士與美光、英特爾陣營(yíng)也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍(lán)圖將接棒16奈米，計(jì)劃將在今年第二季左右可送樣測(cè)試，最快將在第四季進(jìn)入量產(chǎn)。因此，雖然2014年多數(shù)廠商的3D-NAND Flash進(jìn)展多半停留在送樣階段，TrendForce預(yù)期2014年3D-NAND Flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)速度確實(shí)有超乎預(yù)期的進(jìn)展，隨著廠商在2015年將開(kāi)始量產(chǎn)3D-NAND的局勢(shì)來(lái)看，預(yù)期在經(jīng)過(guò)2014年的軍備競(jìng)賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級(jí)數(shù)下滑，屆時(shí)儲(chǔ)存容量性價(jià)比將可有效提升。
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