Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎
[導讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。
EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設計上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款產(chǎn)品角逐9個技術(shù)門類的獎項。EDN China的在線讀者投票選出73款提名產(chǎn)品，再由技術(shù)專家和EDN高級編輯組成的評審團選出最終的獲獎產(chǎn)品。
Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅為4.8mΩ。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件，該封裝實現(xiàn)了更低的RDS(on)，同時0.75mm的標稱高度比前一版本封裝的高度薄28%，并保持相同的PCB布板樣式。
通過使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道TrenchFET® Gen III技術(shù)，Si7655DN實現(xiàn)了3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導通電阻。這些指標比最接近的同檔-20V器件低17%以上。Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命，其小尺寸封裝有助于節(jié)省寶貴的空間。
EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設計上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款產(chǎn)品角逐9個技術(shù)門類的獎項。EDN China的在線讀者投票選出73款提名產(chǎn)品，再由技術(shù)專家和EDN高級編輯組成的評審團選出最終的獲獎產(chǎn)品。
Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅為4.8mΩ。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件，該封裝實現(xiàn)了更低的RDS(on)，同時0.75mm的標稱高度比前一版本封裝的高度薄28%，并保持相同的PCB布板樣式。
通過使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道TrenchFET® Gen III技術(shù)，Si7655DN實現(xiàn)了3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導通電阻。這些指標比最接近的同檔-20V器件低17%以上。Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命，其小尺寸封裝有助于節(jié)省寶貴的空間。
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