面對(duì)高通(Qualcomm)、三星(Samsung)、聯(lián)發(fā)科等處理器大廠競(jìng)相導(dǎo)入28奈米(nm)及以下製程量產(chǎn)64位元和八核心處理器，Honeywell已開發(fā)出能在嚴(yán)苛環(huán)境條件下保持高散熱性的導(dǎo)熱介面材料(TIM)--PTM系列產(chǎn)品，助力處理器加快將熱傳導(dǎo)出去，提高性能和可靠度。

Honeywell副總裁暨電子材料部總經(jīng)理David Diggs認(rèn)為，行動(dòng)處理器規(guī)格不斷升級(jí)，將帶動(dòng)導(dǎo)熱介面材料需求增加。

Honeywell副總裁暨電子材料部總經(jīng)理David Diggs表示，隨著智慧型手機(jī)與平板裝置配備更先進(jìn)的功能，處理器架構(gòu)已加速朝64位元和八核心推進(jìn)，導(dǎo)致晶片設(shè)計(jì)愈來(lái)愈復(fù)雜，且整合的晶片數(shù)量增多，也將造成處理器運(yùn)作時(shí)溫度急遽上升，影響運(yùn)算效能。

有鑑於此，Honeywell針對(duì)中央處理器(CPU)等半導(dǎo)體晶片已發(fā)布導(dǎo)熱介面材料，以達(dá)成熱管理的目的。Diggs指出，相較於傳統(tǒng)的處理器，64位元及八核心處理器對(duì)於散熱性要求更加嚴(yán)苛，預(yù)期對(duì)於導(dǎo)熱介面材料需求將大幅增溫。該公司導(dǎo)熱介面材料具備彈性，能適應(yīng)不同的處理器空間，同時(shí)把熱傳導(dǎo)出去，將成為日后提升先進(jìn)架構(gòu)處理器性能和穩(wěn)定度的一大關(guān)鍵。

Diggs強(qiáng)調(diào)，該公司已密切和先進(jìn)製程的上中下游廠商緊密合作，以確保處理器大廠採(cǎi)用28奈米及以下製程投產(chǎn)64位元和八核心處理器時(shí)，能妥善解決散熱問(wèn)題。

此外，Diggs透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)等多家半導(dǎo)體大廠已針對(duì)16奈米、硅穿孔(Through-silicon Via, TSV)等先進(jìn)製程展開布局，因此該公司也將繼續(xù)與代表性的半導(dǎo)體業(yè)者密切合作，以滿足未來(lái)先進(jìn)製程晶片的發(fā)展需求。