[導讀]韓國SK海力士今天宣布,公司已經開始大規(guī)模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒,這也是當今最先進的閃存制造工藝。其實早在今年六月,海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存,最近投產的則是第二版,芯片尺寸更
韓國SK海力士今天宣布,公司已經開始大規(guī)模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒,這也是當今最先進的閃存制造工藝。其實早在今年六月,海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存,最近投產的則是第二版,芯片尺寸更小,更具競爭力。
此外,海力士還根據(jù)16nm 64Gb閃存的規(guī)范和耐久性,成功研發(fā)了128Gb(16GB)容量版本,存儲密度世界最高,計劃明年初投入量產。
海力士指出,通常情況下,NAND閃存工藝越先進,單元之間的 干擾就越嚴重,但是他們引入了最新的Air-Gap技術來克服這種干擾,主要是將電路之間用于絕緣的基底換成了真空孔。
海力士最后稱,將繼續(xù)加速研發(fā)TLC NAND、3D NAND閃存技術。
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