韓國SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒，這也是當今最先進的閃存制造工藝。

其實早在今年六月，海力士就量產(chǎn)了第一版的16nm NAND閃存，最近投產(chǎn)的則是第二版，芯片尺寸更小，更具競爭力。

此外，海力士還根據(jù)16nm 64Gb閃存的規(guī)范和耐久性，成功研發(fā)了128Gb(16GB)容量版本，存儲密度世界最高，計劃明年初投入量產(chǎn)。

海力士指出，通常情況下，NAND閃存工藝越先進，單元之間的 干擾就越嚴重，但是他們引入了最新的Air-Gap技術(shù)來克服這種干擾，主要是將電路之間用于絕緣的基底換成了真空孔。

海力士最后稱，將繼續(xù)加速研發(fā)TLC NAND、3D NAND閃存技術(shù)。