Galaxy S5/Note 4處理器確認(rèn) 20nm工藝/性能彪悍
[導(dǎo)讀]在屏幕分辨率確定之后,三星明年的旗艦產(chǎn)品所采用的處理器型號(hào)也正式確認(rèn)了。毫無(wú)疑問(wèn),64位將會(huì)是明年的主旋律,在高通確認(rèn)跟風(fēng)蘋果加入64位處理器家族之后,三星也在今天正式宣布明年將會(huì)推出基于64位架構(gòu)設(shè)計(jì)的產(chǎn)
在屏幕分辨率確定之后,三星明年的旗艦產(chǎn)品所采用的處理器型號(hào)也正式確認(rèn)了。
毫無(wú)疑問(wèn),64位將會(huì)是明年的主旋律,在高通確認(rèn)跟風(fēng)蘋果加入64位處理器家族之后,三星也在今天正式宣布明年將會(huì)推出基于64位架構(gòu)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
從三星公布的資料來(lái)看,明年他們旗下采用64位架構(gòu)設(shè)計(jì)的處理器將有兩大系列,其一是采用標(biāo)準(zhǔn)ARM Cortex-A50架構(gòu)設(shè)計(jì)的,而另一個(gè)系列則是三星自主研發(fā)的架構(gòu)(這應(yīng)該是三星首次自主研發(fā)ARM處理器架構(gòu)),當(dāng)然,這要用到ARM的指令集。
從昨天曝光的Intel幻燈片來(lái)看,采用Cortex-A50架構(gòu)設(shè)計(jì)的64位處理器命名應(yīng)該是Exynos 6系列,而三星自主研發(fā)架構(gòu)的產(chǎn)品則應(yīng)該是Exynos S系列。以目前的驍龍800(MSM8974)作為基準(zhǔn)的話,Exynos S系列的性能能夠達(dá)到驍龍800的1.43倍,而Exynos 6系列的性能則能夠達(dá)到驍龍800的1.53倍,強(qiáng)于NVIDIA的下一代產(chǎn)品Tegra 5以及高通的下一代產(chǎn)品APQ8094。
制造工藝方面,三星的下一代處理器將會(huì)采用20nm Gate Last High-K / Metal Gate工藝,新的工藝能讓Exynos處理器的工作電壓從1V降低到0.9V,功耗自然會(huì)有所改善。
此外,雖然三星的14nm FinFET工藝已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn),但要到2015年才能正式量產(chǎn),2016年則會(huì)量產(chǎn)10nm工藝,之后肯定會(huì)進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代。
Exynos 6處理器的首發(fā)機(jī)型必然是Galaxy S5無(wú)疑了,而到Galaxy Note 4上則很有可能采用三星自主研發(fā)架構(gòu)的Exynos S系列,其性能絕對(duì)值得我們期待。
當(dāng)然,即便是下一代Exynos處理器的性能足夠強(qiáng)悍,三星也離不開(kāi)高通的處理器,畢竟LTE/LTE-A網(wǎng)絡(luò)三星暫時(shí)是無(wú)法搞定的,只能借助高通的基帶來(lái)實(shí)現(xiàn)。
毫無(wú)疑問(wèn),64位將會(huì)是明年的主旋律,在高通確認(rèn)跟風(fēng)蘋果加入64位處理器家族之后,三星也在今天正式宣布明年將會(huì)推出基于64位架構(gòu)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
從三星公布的資料來(lái)看,明年他們旗下采用64位架構(gòu)設(shè)計(jì)的處理器將有兩大系列,其一是采用標(biāo)準(zhǔn)ARM Cortex-A50架構(gòu)設(shè)計(jì)的,而另一個(gè)系列則是三星自主研發(fā)的架構(gòu)(這應(yīng)該是三星首次自主研發(fā)ARM處理器架構(gòu)),當(dāng)然,這要用到ARM的指令集。
從昨天曝光的Intel幻燈片來(lái)看,采用Cortex-A50架構(gòu)設(shè)計(jì)的64位處理器命名應(yīng)該是Exynos 6系列,而三星自主研發(fā)架構(gòu)的產(chǎn)品則應(yīng)該是Exynos S系列。以目前的驍龍800(MSM8974)作為基準(zhǔn)的話,Exynos S系列的性能能夠達(dá)到驍龍800的1.43倍,而Exynos 6系列的性能則能夠達(dá)到驍龍800的1.53倍,強(qiáng)于NVIDIA的下一代產(chǎn)品Tegra 5以及高通的下一代產(chǎn)品APQ8094。
制造工藝方面,三星的下一代處理器將會(huì)采用20nm Gate Last High-K / Metal Gate工藝,新的工藝能讓Exynos處理器的工作電壓從1V降低到0.9V,功耗自然會(huì)有所改善。
此外,雖然三星的14nm FinFET工藝已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn),但要到2015年才能正式量產(chǎn),2016年則會(huì)量產(chǎn)10nm工藝,之后肯定會(huì)進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代。
Exynos 6處理器的首發(fā)機(jī)型必然是Galaxy S5無(wú)疑了,而到Galaxy Note 4上則很有可能采用三星自主研發(fā)架構(gòu)的Exynos S系列,其性能絕對(duì)值得我們期待。
當(dāng)然,即便是下一代Exynos處理器的性能足夠強(qiáng)悍,三星也離不開(kāi)高通的處理器,畢竟LTE/LTE-A網(wǎng)絡(luò)三星暫時(shí)是無(wú)法搞定的,只能借助高通的基帶來(lái)實(shí)現(xiàn)。





