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[導(dǎo)讀]硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi),各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm,更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管),去年底就已經(jīng)取得重大突破,完成了

硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi),各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm,更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。

三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管),去年底就已經(jīng)取得重大突破,完成了測試樣品、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的準(zhǔn)備工作,還有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等眾多合作伙伴的支持。

不過時至今日,三星也沒有披露14nm具體會在什么時候量產(chǎn),有消息稱要到2015年初,Exynos 6就等它了。

再往后,10nm技術(shù)也正在按計(jì)劃研發(fā)之中,并會繼續(xù)使用FinFET,還會初步嘗試使用極紫外光刻(EUV),和業(yè)內(nèi)步調(diào)一致。

此外,Intel、臺積電、GlobalFoundries也都在積極推進(jìn)10nm技術(shù)的研發(fā),屆時還有可能用上450毫米大晶圓。

三星正在研究10nm工藝:終上極紫外<strong>光刻</strong>

<strong>三星</strong>正在研究10nm工藝:終上極<strong>紫外光</strong>刻


 
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