隨著傳統(tǒng)的半導體制造技術(shù)在NAND flash領(lǐng)域即將達到極限，存儲器芯片廠商紛紛開始采用3D生產(chǎn)技術(shù)以提高產(chǎn)能。

根據(jù)IHS的報告顯示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快閃存儲器芯片將采用3D技術(shù)，而在2013年這一比例僅為1%。2014年采用3D技術(shù)的快閃存儲器芯片比例將增至5.2%，2015年則將飆升至30.2%。到了2016年這一比例將擴大至49.8%，幾乎占整個快閃存儲器市場的一半。

“普遍認為采用傳統(tǒng)平面半導體技術(shù)的NAND flash再經(jīng)過一代或兩代就將達到理論極限，”IHS內(nèi)存和存儲高級分析師Dee Robinson表示?！半S著平面印刷技術(shù)進一步萎縮，NAND的性能和可靠性將僅適合極低成本的消費性產(chǎn)品。在未來幾年，由于NAND廠商被迫開發(fā)更高密度和更低價格的產(chǎn)品，因此將會迅速向3D制造轉(zhuǎn)移?！?BR>
三星和SK海力士這兩個全球最大的存儲器廠商在8月份的加州圣克拉拉快閃存儲器峰會上發(fā)布了他們的3D NAND創(chuàng)新成果。

三星表示該公司名為V-NAND的3D快閃存儲器產(chǎn)品已經(jīng)在第二季度開始商用化生產(chǎn)。其終端產(chǎn)品將會是480千兆字節(jié)以及960千兆字節(jié)的V-NAND固態(tài)硬盤，初期目標是企業(yè)市場。V-NAND將比1 x納米NAND更可靠、功耗更低，并且順序?qū)懭牒碗S機寫入的性能更高。

IHS預計基于V-NAND的固態(tài)硬盤和基于傳統(tǒng)快閃存儲器的固態(tài)硬盤的價格將會有較大差距，這也就是三星將該產(chǎn)品的目標市場首先定位為企業(yè)市場的原因。

三星的最大競爭對手SK海力士也在計劃生產(chǎn)3D NAND，其初期的3D產(chǎn)品將類似于三星的V-NAND，容量達到128千兆字節(jié)。不過這只是SK海力士雙向策略中的一部分，該公司同時還在開發(fā)16納米產(chǎn)品。

隨著三星和海力士SK已經(jīng)開始3D NAND開發(fā)，投入生產(chǎn)的時間比預期更快，且進展速度也大大快于業(yè)界期望。

盡管如此，其他存儲器廠商仍然決定至少再生產(chǎn)一代平面NAND，將3D計劃日程推后。這些廠商包括SanDisk、美光和日本東芝。

不過，初期3D NAND生產(chǎn)將是有限的，并且由于產(chǎn)品多層結(jié)構(gòu)的原因，故障分析比較困難。IHS認為，高性能產(chǎn)品在企業(yè)應用中的初期增長將有助于廠商獲利以及工藝成熟。盡管如此，3D技術(shù)要對整個行業(yè)增長做出顯著貢獻還有待時日。

無論如何，NAND的3D競賽已經(jīng)打響，尚未對這一技術(shù)變革做出響應的NAND廠商將會感受到壓力。