當(dāng)前，電器和移動AV設(shè)備市場上，智能手機和平板PC成長迅猛。智能手機的全球銷量從2012年的6.5億部增加到2013年的7.9億部。預(yù)計2015年將達(dá)到10億部。類似地，PC的全球銷量從2011年的1.2億臺增加到2013年的1.6億臺。預(yù)計2017年將達(dá)到4.2億臺。這些移動設(shè)備要求一年比一年更高的性能、更多的功能和更低的價格。所以，用在CPU、GPU、DSP、AP和RF中的半導(dǎo)體產(chǎn)品規(guī)模更大，速度更高、更加密集。為此晶圓工藝技術(shù)正通過加大晶圓尺寸（即從150mm擴大到300mm或400mm）減少成本，并通過更細(xì)的工藝圖形（即從90nm到65nm、45nm、40nm、32nm和28nm）改善至更高的集成度、功能性和速度。故與此同時要求更高的電路密度、更高的性能和更低的價格。

對于集成度較大和速度較高的LSI的成熟技術(shù)，有必要開發(fā)采用低k材料的隔離技術(shù)。但為了滿足這些高性能，由于用多孔和多層結(jié)構(gòu)，隔離變得越來越薄。結(jié)果，LSI就變得易脆。另一方面，為了滿足高速要求，LSI的電流不斷增加。除了芯片尺寸不斷縮小外，熱密度和功耗也不斷增加。所以，對于未來的半導(dǎo)體封裝，要求解決這些問題，即層間介質(zhì)的易脆性、高熱、高速和低價格。半導(dǎo)體工藝未來的設(shè)計規(guī)則將進(jìn)入20nm一代或其下，這將更加脆弱得多。