我們知道，Intel 14nm Broadwell平臺(tái)的發(fā)布策略有了很大變化，明年只會(huì)出現(xiàn)在低壓和超低壓版的筆記本上，桌面則得等到后年，在那之前還有一代Haswell Refresh。盡管是一次變化不大的過(guò)渡版，Intel明年仍將推出新的9系列芯片組進(jìn)行搭配。

很容易懷疑9系列主板不會(huì)有什么亮點(diǎn)對(duì)不對(duì)?也不完全是，至少它會(huì)支持更高速度的SATA Express接口，并且能兼容未來(lái)的Broadwell。

看上去，Intel似乎有兩代換一次接口的跡象。Sandy Bridge、Ivy Bridge用的都是LGA1155，6/7系列主板也有很大程度的互相兼容。Haswell改成了LGA1150，和以往斷絕關(guān)系，卻為未來(lái)做好了準(zhǔn)備?！l(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)代號(hào)的規(guī)律沒(méi)?兩個(gè)“Bridge”是兼容的，而兩個(gè)“well”又是兼容的。

不過(guò)，9系列主板上Broadwell也不是無(wú)條件的，因?yàn)镮ntel每一代平臺(tái)都會(huì)在供電規(guī)范上做出調(diào)整，不考慮它們的話就不行了。

根據(jù)最新資料，Broadwell平臺(tái)會(huì)在V_PROC_IO、VCCST、HRMTRIP#等方面有些不同于Haswell Refresh的變化，因此9系列主板要想在未來(lái)兼容Broadwell，必須提前考慮這些變化并加入，否則會(huì)有奇怪的問(wèn)題產(chǎn)生，甚至無(wú)法點(diǎn)亮。

另外一個(gè)問(wèn)題相信大家也會(huì)很關(guān)系：Haswell會(huì)用什么內(nèi)存?目前看起來(lái)會(huì)繼續(xù)用DDR3，但也有消息說(shuō)會(huì)上DDR4，懷疑Intel自己也沒(méi)有確定，可能要在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)看情況再說(shuō)，甚至可能同時(shí)整合兩種內(nèi)存控制器以便過(guò)渡。如果僅支持DDR4，那么9系列主板將不可能兼容。

頂級(jí)發(fā)燒處理器Haswell-E將會(huì)搭配的X99芯片組倒是已經(jīng)確定支持DDR4，也是第一款上新內(nèi)存的消費(fèi)級(jí)平臺(tái)。AMD方面，只能等2015年的再下代APU Carrizo。