IBM預(yù)計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù)，為伺服器雙列直插式存儲器模組(DIMM)插槽加入NAND flash。該公司并計劃在DIMM埠中采用自行設(shè)計的控制器芯片。

此外，IBM并加倍擴增去年從Texas Memory Systems公司收購而來的flash控制器設(shè)計團隊規(guī)模。預(yù)計在今年年底前，該團隊將為其最佳化的儲存陣列推出增強版控制器，并搭配東芝NAND芯片共同使用。該公司期望未來版本的控制器能與任何供應(yīng)商的flash芯片搭配使用。

IBM由收購Texas Memory組成的最新事業(yè)部──IBM Flash System副總裁Michael Kuhn分享了該公司在flash業(yè)務(wù)方面的開發(fā)藍圖。

IBM的客戶多半都必須「因應(yīng)各種不同的flash部署模式」，Kuhn說。用途包括插入于SATA的直連式固態(tài)硬盤以及硬盤用序列式SCSI介面、搭配Fusion-IO與LSI的PCI Express插槽，以及目前的DIMM 。

Kuhn表示：“我想你將會在2014年時看到flash在DIMM插槽中的應(yīng)用。明年我們將采用Diablo控制器以及我們自行開發(fā)的控制器展開一些工作?！?BR>
英特爾(Intel)固態(tài)硬盤專家Knut Grimsrud則看淡DIMM插槽應(yīng)用于快閃存儲器的重要性。他指出，該介面并未能比PCI Express提供更好的速度與延遲特性比，因而為flash芯片的存取時間帶來一些瓶頸。此外，除非flash DIMM支持隨機存取，否則在應(yīng)用上十分有限。

IBM的Texas Memory產(chǎn)品系列則采取不同的方法，專注于更高的容量與更廣泛的系統(tǒng)管理功能──在Fibre Channel或Infiniband 儲存網(wǎng)路上的1U機箱上插入高達20TB的flash 。Kuhn指出，IBM未來還將提供可插入于FCoE網(wǎng)路的產(chǎn)品系列。

新的3級單元flash芯片類型也為flash子系統(tǒng)開啟了一些新選擇。Kuhn預(yù)測， IBM Research與其它單位正開發(fā)的相變存儲器將在2016年上市。

同時，IBM在flash領(lǐng)域面臨的競爭來自于EMC等現(xiàn)有的大型供應(yīng)商，以及新創(chuàng)公司，如Violin Memory等。此外，NetApp也預(yù)計在明年推出自家flash陣列。