之前就有消息稱Intel的Ivy Bridge-E處理器將采用原生六核心設(shè)計(jì)，不像六核心Sandy Bridge-E那樣從八核心的基礎(chǔ)上閹割而來(lái)，這樣做的好處就是能夠進(jìn)一步的控制芯片的成本、面積以及功耗。

日前Intel公布了三張Ivy Bridge-E處理器的晶圓及內(nèi)核照片，從內(nèi)核照片上我們確定了Ivy Brige-E將會(huì)是原生六核心的說(shuō)法，此外還有專業(yè)人士根據(jù)晶圓照片計(jì)算出了Ivy Bridge-E處理器的核心面積等關(guān)鍵性的數(shù)據(jù)。

國(guó)外PCGH論壇的一位大神用GIMP(圖像處理軟件)軟件配合每平方毫米的圖像像素比例計(jì)算出了Ivy Bridge-E處理器的內(nèi)核面積為258.37-259.84mm²，理論上誤差應(yīng)該在1%的范圍內(nèi)，當(dāng)然這只是推測(cè)。

作為對(duì)比，之前八核心Sandy Bridge-E處理器的內(nèi)核面積為435mm²，要比Ivy Bridge-E的面積大75%以上。但如此一來(lái)問題也就出現(xiàn)了，因?yàn)镮vy Bridge-E處理器的功耗密度創(chuàng)下了Intel的新高。

經(jīng)過(guò)計(jì)算Ivy Bridge-E處理器的功耗密度為0.5W/mm²左右，而Sandy Bridge-E最大為0.345W/mm²，Sandy Bridge為0.440W/mm²，Ivy Brdige則是0.481W/mm²，至于Haswell則是0.475W/mm²。Ivy Brdige-E的功耗密度要比此前的任何一款處理器都高。

這也就意味著Ivy Bridge-E處理器在單位面積上的發(fā)熱量要比其它處理器更高，這對(duì)散熱器來(lái)說(shuō)是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)，很有可能會(huì)影響到處理器的超頻能力。但此前也有消息稱Intel會(huì)在Ivy Bridge處理器中重新使用錫焊工藝，也許散熱能力會(huì)更好一些。