高解析度與低耗電的IGZOTFT技術被引進OLED顯示器業(yè)界，讓OLED顯示器大型化與可撓曲設計的技術又向前邁開一大步;而日本2013年研發(fā)出的新材料與新的電路布置方式，有望更進一步降低耗電、提升亮度，同時解決可撓式OLED的壽命問題。
目前大型OLED的制程仍為百家爭鳴，還沒有標準制程存在，這是因為各類技術的優(yōu)缺點，以及研發(fā)過程所碰到的難題等，尚待一一處理。而日本提出將導電層由最表面改裝到最底面的倒置OLED(iOLED)，透明可透光的導電物質C12A7電子鹽(Electride)，第三世代的TADF高效長壽發(fā)光材料等，可進一步解決這些難題。