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[導(dǎo)讀]臺積電和格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(GLOBALFOUNDRIES)正在研發(fā)基于ARM的20nm制程工藝處理器,預(yù)計明年可面世。 據(jù)了解,當(dāng)前 28nm 處理器的最快主頻為 2.3GHz,主頻達(dá)到 2.3GHz 的處理器有高通 Snapdragon 800 和

臺積電和格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(GLOBALFOUNDRIES)正在研發(fā)基于ARM的20nm制程工藝處理器,預(yù)計明年可面世。 據(jù)了解,當(dāng)前 28nm 處理器的最快主頻為 2.3GHz,主頻達(dá)到 2.3GHz 的處理器有高通 Snapdragon 800 和英偉達(dá)的 Tegra 4i 處理器,搭載這兩款處理器的設(shè)備將于今年 2013 年底或 2014 年初上市。

主頻3GHz <strong>ARM處理器</strong>2013年將爆發(fā)ARM處理器2013年將爆發(fā)>

目前搭載 Snapdragon 800 四核處理器的智能手機有,索尼最新發(fā)布的 Xperia Z Ultra 和三星 Galaxy S4 LTE-A,不久的將來還有 LG Optimus G2,均為高端強機的御用處理器,不過,新一代處理器將在性能上遠(yuǎn)超 28nm 制程的四核處理器。
據(jù)了解,在 20nm 制程工藝的幫助下,臺積電和格羅方德半導(dǎo)體正在研發(fā)的新一代處理器主頻將超過 2.3GHz,達(dá)到 3GHz。
20nm 制程工藝的主頻速度將比當(dāng)前速度快 30%,密度也是當(dāng)前密度的 1.9 倍,功耗降低25%,可延長電池續(xù)航時間。
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