東芝公司(Toshiba)宣布將在今年八月激活位于日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程，準(zhǔn)備增加NAND閃存的制造產(chǎn)能，同時轉(zhuǎn)移至3D NAND生產(chǎn)。

這項(xiàng)工程預(yù)計(jì)將在2014年夏天完成，東芝強(qiáng)調(diào)，目前尚未決定任何設(shè)備投資等細(xì)節(jié)，但未來將視市場動向而定。這表示東芝為該新廠的資本支出規(guī)模與速度，將取決于市況而調(diào)整。

在 2012年7月，東芝曾經(jīng)因考慮到市場供過于求以及芯片降價(jià)壓力，因而削減30%的 NAND 閃存產(chǎn)量。然而，在不到六個星期的時間，NAND閃存的一些客戶們就開始抱怨內(nèi)存芯片不足，而多年來持續(xù)降價(jià)的NAND芯片在2013年開始止跌回升。此外，日圓走軟也讓東芝較三星和SK海力士等競爭對手取得更佳優(yōu)勢。

Fab5廠的第二期工程將更強(qiáng)調(diào)減少對于環(huán)境的影響。相較于同樣位于四日市的Fab 4廠，F(xiàn)ab5廠采用余熱回收等基于LED照明和節(jié)能的生產(chǎn)方式，可望降低13%的二氧化碳排放量。

Fab 5廠第2期工程預(yù)計(jì)在裝機(jī)后，可望執(zhí)行東芝多層 BICS (位成本可擴(kuò)展的) 3D NAND 內(nèi)存制造制程。雖然這種技術(shù)目前尚未量產(chǎn)，但東芝將能主導(dǎo) 3D NAND 制造地位。2012年底，該公司曾宣布開發(fā)出基于50nm垂直信道的16層原型設(shè)備，今年已可提供樣片，并預(yù)計(jì)在2015年量產(chǎn)。