這項工程預計將在2014年夏天完成，東芝強調，目前尚未決定任何設備投資等細節(jié)，但未來將視市場動向而定。這表示東芝為該新廠的資本支出規(guī)模與速度，將取決于市況而調整。

在2012年7月，東芝曾經因考慮到市場供過于求以及芯片降價壓力，因而削減30%的 NAND 閃存產量。然而，在不到六個星期的時間，NAND閃存的一些客戶們就開始抱怨內存芯片不足，而多年來持續(xù)降價的NAND芯片在2013年開始止跌回升。此外，日圓走軟也讓東芝較三星和SK海力士等競爭對手取得更佳優(yōu)勢。

Fab5廠的第二期工程將更強調減少對于環(huán)境的影響。相較于同樣位于四日市的Fab 4廠，F(xiàn)ab5廠采用余熱回收等基于 LED照明和節(jié)能的生產方式，可望降低13%的二氧化碳排放量。

Fab5廠第2期工程預計在裝機后，可望執(zhí)行東芝多層 BICS (位成本可擴展的) 3D NAND 內存制造制程。雖然這種技術目前尚未量產，但東芝將能主導 3D NAND 制造地位。2012年底，該公司曾宣布開發(fā)出基于50nm垂直信道的16層原型設備，今年已可提供樣片，并預計在2015年量產。