據(jù)DIGITIMES Research報(bào)道，2012年第4季日本半導(dǎo)體龍頭廠東芝(Toshiba)因NAND Flash價(jià)格較第3季上揚(yáng)，其半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收較第3季增長(zhǎng)10.5%，為2,316億日?qǐng)A(約24億美元)，已連續(xù)兩季增長(zhǎng)，且營(yíng)業(yè)利益亦由第3季120億日?qǐng)A上揚(yáng)至200億日?qǐng)A左右。
日本第二大半導(dǎo)體廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)因微控制器(Micro Controller Unit;MCU)、模擬/功率組件(Analog&Power;A&P)與系統(tǒng)單芯片(System on Chip;SoC)三大產(chǎn)品線第4季營(yíng)收均較第3季下滑，致其半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收較第3季衰退13.7%，僅1,772億日?qǐng)A，整體營(yíng)業(yè)虧損亦自第3季57億日?qǐng)A擴(kuò)大至79億日?qǐng)A。
日本第三大半導(dǎo)體廠Sony的半導(dǎo)體事業(yè)可分為自用與外售兩大部分。單以外售而言，2012年第4季Sony半導(dǎo)體的營(yíng)收較第3季增長(zhǎng)19%，為900億日?qǐng)A，連續(xù)兩季增長(zhǎng)，且維持在獲利狀態(tài)。
比較2010~2012年各季日本前三大半導(dǎo)體廠商主力產(chǎn)品營(yíng)收變化，相較于2012年第4季東芝NAND Flash與Sony圖像傳感器營(yíng)收分別連續(xù)兩季增長(zhǎng)，且均回升至2010年以來(lái)單季營(yíng)收高水位，第4季瑞薩電子MCU營(yíng)收卻衰退至2010年以來(lái)單季最低水平。
除MCU營(yíng)收未見(jiàn)起色外，2012日本會(huì)計(jì)年度(2012年4月至2013年3月，以下簡(jiǎn)稱年度)瑞薩電子將出現(xiàn)連續(xù)第3年虧損，由于其主力產(chǎn)品MCU具少量多樣生產(chǎn)特性，需對(duì)應(yīng)個(gè)別客戶細(xì)微要求，獲利空間相對(duì)不及可大量少樣生產(chǎn)的NAND Flash等其它半導(dǎo)體產(chǎn)品。
東芝為鞏固領(lǐng)先地位，計(jì)劃2013年開(kāi)始量產(chǎn)采15~18納米技術(shù)的NAND Flash，并發(fā)展3D NAND Flash等技術(shù)，而Sony則持續(xù)擴(kuò)充以CMOS為主的圖像傳感器產(chǎn)能。至于瑞薩電子，在MCU具少量多樣生產(chǎn)特性情形下，雖其維持一定自有產(chǎn)能，然如何運(yùn)用委外代工方式，克服MCU特殊產(chǎn)品屬性問(wèn)題，將是影響其轉(zhuǎn)虧為盈進(jìn)度的重點(diǎn)之一。