中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心致力于以器件小型化為基礎的CMOS先導工藝及其它硅基集成電路相關技術的研發(fā)工作，目前中心已經(jīng)形成了包括中芯國際、北大、清華、復旦等單位在內(nèi)的集成電路工藝的研發(fā)聯(lián)盟。研發(fā)中心大量采用國產(chǎn)設備和材料，并與國產(chǎn)設備商一起對機臺進行驗證和工藝開發(fā)工作，使中心的研發(fā)平臺成為國產(chǎn)設備商共同的試驗場和展示平臺，近3年來，中心已完成專利申請700多項，其中200多項國際專利。

目前，集成電路先導工藝研發(fā)中心開發(fā)出的特色工藝包括可實現(xiàn)22納米及以下技術代圖形化的電子束光刻（E-beam）及刻蝕技術；可獲得硅深孔（TSV）的刻蝕工藝；可對高K/金屬柵材料進行原子級可控生長的原子層薄膜淀積（ALD）工藝；可增加溝道遷移率的外延純鍺、硅鍺（SiGe）工藝；可獲得超淺結的超低能離子注入和納秒級激光退火（Laser anneal）工藝；可完成晶圓凸起圖形全局平坦化的化學機械拋光（CMP）工藝等。與此同時，為了滿足國產(chǎn)半導體裝備發(fā)展的生產(chǎn)需求，中心的研發(fā)線采用準工業(yè)化的管理模式，并且實現(xiàn)了對設備狀態(tài)、工藝流程以及物料進出庫的全程電子化管理，使得研發(fā)周期縮短到接近工業(yè)界的先進水平。

集成電路先導工藝研發(fā)中心主任趙超表示：“未來時間內(nèi)，研發(fā)中心將以‘兩條腿’走路的方式，一方面繼續(xù)承擔國家科技重大專項、863和973等項目的研究和開發(fā)；另一方面，中心將重點針對工業(yè)界急需的生產(chǎn)工藝，提供客制化的技術開發(fā)服務和小批量高附加值產(chǎn)品的研制，努力推動國內(nèi)IC領域中小企業(yè)的在生產(chǎn)工藝上的創(chuàng)新?！?BR>
據(jù)介紹，目前研發(fā)中心的對外服務采用研發(fā)代工的模式，即自身不從事產(chǎn)品的經(jīng)營活動，其研發(fā)成果按照與客戶達成的協(xié)議全部轉移給客戶，技術服務內(nèi)容包括：專利技術轉讓；CMOS、MEMS全流程流片、工藝模塊或單步工藝研發(fā)、小批量高附加值產(chǎn)品加工；IC工藝設備和耗材驗證；工程師技術培訓；技術咨詢等等。

中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心博士研究員趙超