動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）現(xiàn)貨價持續(xù)反彈，DDR3 2Gb顆?，F(xiàn)貨均價昨（11）日再創(chuàng)4個多月來新高價達0.94美元。通路業(yè)者預(yù)料，圣誕節(jié)前夕，DRAM現(xiàn)貨價可望站上每顆1美元，相關(guān)族群營運將受益。

集邦科技調(diào)查，12月以來，DRAM現(xiàn)貨均價止跌強彈，DDR3 2Gb顆粒現(xiàn)貨均價自0.82美元彈升至0.94美元，漲幅達14.6%。

DRAM通路商表示，DRAM價格急漲，透露出通路庫存水位極低，一遇價格反彈，立刻引起買盤追補。

目前臺灣DRAM廠除南亞和華亞科仍維持較大產(chǎn)能，其余均已淡出標準型DRAM；華邦重心移往編碼型閃存及利基型內(nèi)存；茂德和力晶則因財務(wù)問題，未來都將被迫賣廠轉(zhuǎn)型。

法人分析，這波DRAM反彈，三星、海力士、美光、華亞科和DRAM模塊比重較高的金士頓、威剛等，和內(nèi)存封測廠如力成、華東等是主要受惠廠商，其余因比重均大幅降低，受惠程度相對有限。（責編：陶圓秀）