[導讀]近日,專注智能卡芯片設計的北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)與晶圓制造服務公司上海宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導體”)共同宣布,同方微電子采用宏力半導體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術
近日,專注智能卡芯片設計的北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)與晶圓制造服務公司上海宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導體”)共同宣布,同方微電子采用宏力半導體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術生產的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆,且生產良率穩(wěn)定,產品性能突出,已大量投放國內市場。
宏力半導體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術是在現有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術基礎上,進一步優(yōu)化生產工藝,將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于0.2平方微米),為業(yè)界0.13微米嵌入式閃存技術節(jié)點的最小閃存存儲單元尺寸,尤其適合大容量閃存的產品。該閃存技術具有很高的耐擦寫能力和數據保持特性,可重復擦寫10萬次,數據保持100年,并且兼具編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點。此外,該款技術搭配宏力半導體獨有的雙閘工藝平臺,提供了市場應用中最低本高效之解決方案。(責編:陶圓秀)
宏力半導體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術是在現有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術基礎上,進一步優(yōu)化生產工藝,將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于0.2平方微米),為業(yè)界0.13微米嵌入式閃存技術節(jié)點的最小閃存存儲單元尺寸,尤其適合大容量閃存的產品。該閃存技術具有很高的耐擦寫能力和數據保持特性,可重復擦寫10萬次,數據保持100年,并且兼具編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點。此外,該款技術搭配宏力半導體獨有的雙閘工藝平臺,提供了市場應用中最低本高效之解決方案。(責編:陶圓秀)





