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[導讀]高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.日前宣布,公司推出的業(yè)內(nèi)首款也是唯一一款聚合的多模多頻 (MMMB) 功率放大器PowerSmart Power Platforms現(xiàn)已用于三星新一代智能

高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.日前宣布,公司推出的業(yè)內(nèi)首款也是唯一一款聚合的多模多頻 (MMMB) 功率放大器PowerSmart Power Platforms現(xiàn)已用于三星新一代智能手機 GALAXY Note II。

據(jù)了解, 三星智能手機 GALAXY Note II 的一大亮點是 5.5 英寸高清 Super AMOLED 屏幕,視覺效果驚人,細節(jié)十分清晰。其屏幕比例為 16:9,可以帶給您身臨其境、妙趣橫生的影院級視頻觀看體驗。 GALAXY Note II 還配置了強大的 1.6GHz 四核處理器及 HSPA Plus 或 4G LTE 連通性,可輕松完成多重任務處理,屏幕過渡快如閃電,瀏覽器性能強大,應用程序加載時間極短。此外,它還配備了一個 800 萬像素的后置攝像頭和一個 190 萬像素的前置攝像頭,均具備高清視頻錄制功能。

RFMD 為三星提供廣泛的 3G/4G 前端解決方案,包括 PowerSmart、超高效率 3G/4G 功率放大器、高性能開關以及先進的電源管理解決方案。 RFMD 為三星所有領先的基帶架構提供支持,而且,RFMD 廣泛的產(chǎn)品組合可支持三星所有主要類別的產(chǎn)品。

RFMD 的 PowerSmart 功率平臺具有業(yè)內(nèi)領先的集成性、設計靈活性及可定制性,讓智能手機生產(chǎn)商無需顧及模式和頻帶規(guī)格就能跨地域、跨網(wǎng)絡快速配置智能手機平臺。

三星 GALAXY Note II 即將于 10 月首先在歐洲、亞洲、及中東主要市場上推出。(責編:陶圓秀)
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