關于使用硅基GaN基板的LED，雖然其性能與現在占據市場的藍寶石基板LED相當，但在量產方面還存在問題。而且，現在的藍寶石基板價格不斷下跌，在藍寶石基板上形成的LED的性能也在逐漸提升。舉例來說，最近PSS（圖案化藍寶石基板）被大規(guī)模應用，大幅提高了藍寶石基板LED的亮度。因此，硅基GaN基板追趕藍寶石基板的難度越來越大。

在Si基板上形成的LED應該比藍寶石基板LED便宜得多。硅晶圓的價格一直低于藍寶石晶圓，今后這一情況也仍將繼續(xù)，因此使用硅基GaN基板的削減成本的效果可立即表現出來。削減成本最有效的方式是在自動化程度高、已經完成了折舊的Si-CMOS工廠加工磊晶晶圓。LED制造工藝與CMOS生產線完全兼容，無需追加投資這一點也非常重要。

但成本削減的效果也有可能被制造中的問題抵消掉，這個問題就是，Si與GaN的熱膨脹系數和晶格常數不同，兩者之間存在熱失配和晶格失配，會造成LED的外延晶圓龜裂或是彎曲。Si基板通常會設置位錯控制層，但在量產時很難進行位錯控制。因此難以建立起可以重現的穩(wěn)定高成品率的量產工藝。

硅基GaN基板量產企業(yè)正在試圖擺脫壟斷

面向市場量產硅基GaN基板LED的企業(yè)只有中國的晶能光電一家。在整個LED市場上，該技術所占份額還不到1％。德國歐司朗光電半導體（OsramOptoSemiconductors）恐怕將成為最大規(guī)模的新進企業(yè)。該公司現在使用的是150mm晶圓（6英寸）的試產線，硅基GaN基板的性能正在逐漸逼近藍寶石基板，到使用200mm（8英寸）生產線進行量產估計需要2年左右的時間。

另一方面，美國普瑞光電（Bridgelux）曾在2011年宣布，將把全部產品從藍寶石基板改換為Si基板，并發(fā)布了多款高性能LED，但比藍寶石基板產品的性能要差一些。當時，該公司使用1枚200mm的晶圓能夠生產約1000枚芯片，而具有商業(yè)吸引力的產量約為2萬枚，但如果現在的產量接近這個數字的話就會有一定優(yōu)勢。普瑞光電正準備與東芝合作，從2013年開始在日本使用200mm硅晶圓進行生產。美國飛利浦流明也是享受美國能源部補貼開發(fā)Si基板的主要LED企業(yè)，該公司發(fā)表的關于75mm（3英寸）晶圓的研究結果備受矚目，現在研究的對象是150mm晶圓。除此之外，韓國三星也對使用200mm硅晶圓制造的器件進行了驗證。

低價格不斷催生新技術

通過采用新技術，200mm藍寶石晶圓有望投入使用，與Si晶圓展開競爭。而且，藍寶石晶圓的價格也在急劇下跌，150mm晶圓的價格在1年前為450美元，現在已經降到了220～270美元，到2012年低或許將跌破200美元大關，之后還有可能很快跌至150美元。即便如此，藍寶石晶圓的價格仍然接近Si晶圓的2倍，但這依然稱得上是新進企業(yè)引發(fā)價格競爭帶來的一大進步。

新一輪價格下跌的推手，將是大尺寸藍寶石晶體的制造設備的供應商，藍寶石基板通過切割藍寶石晶體制成的。在2年前，晶體的重量為25～35kg，現在已經達到了80～100kg。有些企業(yè)甚至能夠生產100kg以上的晶體。

其他的新的晶體生長技術或許能夠使成品率達到以前的2倍以上。但在現在，這些技術只能應用于不足50kg的晶體。一般來說，藍寶石晶體沿A面生長，基板的取向與C面平行。其目的是為了把與GaN的晶格失配控制在最低限度。在制作基板時，要沿垂直于軸的方向從晶體中掏取出晶片，因此，原料成品率不足30％。而現在，晶體已經可以沿C面在軸上生長，可以像切面包一樣對晶體進行切片，原料成品率提高到了85％。但是，由于要緩慢地從晶體中抽取晶片，因此周期時間將會增加。由此可知，無論是在軸上生長晶體塊的技術，還是培養(yǎng)更大晶體塊的技術，都能夠使成本顯著下降。而且，還可能有其他技術登場。例如，帶狀生長（EFG）是一門難以掌握的技術，但對于大于150mm的晶圓，該技術有望提高成本效率。

使用硅基GaN基板的LED要想戰(zhàn)勝性能越來越高的藍寶石基板LED、降低成本，目前還面臨著很大的問題，硅基GaN基板LED甚至有可能永遠摘不下“未來技術”的帽子，永無出頭之日。硅基GaN基板LED能否奪取部分市場，或是完全取代藍寶石基板呢？就目前而言，Si基板LED還是強大的競爭對手。