2000年
·4月，中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司成立。
·6月，國(guó)務(wù)院18號(hào)文件《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批準(zhǔn)上海、西安、無(wú)錫、北京、成都、杭州、深圳共7個(gè)國(guó)家級(jí)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地。
·11月，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司在上海浦東開(kāi)工奠基。
2001年
·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。
·3月，國(guó)務(wù)院第36次常務(wù)會(huì)議通過(guò)了《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》。
2002年
·9月，龍芯1號(hào)在中科院計(jì)算所誕生。
·11月，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。
2003年
·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)第一股。
·6月，臺(tái)積電(上海)有限公司落戶上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。
·8月，英特爾公司宣布成立英特爾(成都)有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。
2004年
·9月，中芯國(guó)際的中國(guó)大陸第一條12英寸線在北京投入生產(chǎn)。
2005年
·中星微電子在美國(guó)納斯達(dá)克上市，成為第一家在美國(guó)上市的中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司。
2006年
·10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫投產(chǎn)。
2007年
·3月，英特爾公司宣布在中國(guó)大連建廠。
·6月，成都成芯8英寸項(xiàng)目投產(chǎn)。
·12月，中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司的12英寸生產(chǎn)線(Fab8)建成投產(chǎn)。
2008年
·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項(xiàng)規(guī)劃》重點(diǎn)建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)園。
2009年
·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)軟件企業(yè)認(rèn)定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟『2009』115號(hào)。
2011年
·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。
·2月，國(guó)務(wù)院發(fā)布了被業(yè)界稱為“新18號(hào)文”的《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》(國(guó)發(fā)(2011)4號(hào))。
·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。
2012年
·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線,工藝技術(shù)水平為10納米、12英寸硅圓片。
·5月，財(cái)政部、國(guó)稅總局發(fā)布《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》『財(cái)稅〔2012〕27號(hào)』。
·6月，中芯國(guó)際將聯(lián)合北京市相關(guān)機(jī)構(gòu)共同籌集資金，在北京建設(shè)40納米～28納米生產(chǎn)線。 文章錄入：dabing19821001責(zé)任編輯：韓沖 -->