新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍

時(shí)間：2012-05-21 10:02:34

關(guān)鍵字： NAND閃存固態(tài)硬盤 CE ST

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[導(dǎo)讀]NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢(shì)終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃

NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢(shì)終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)&ldquo;CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。
CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個(gè)內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級(jí)錯(cuò)誤糾正與數(shù)字信號(hào)處理，可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
加入這種技術(shù)后，24nm MLC NAND閃存的全盤寫入擦除次數(shù)(program/erase cycles)可以從現(xiàn)有的3000次猛增到40000次，一下子就增加了13倍還多，而且壽命后期的讀寫重試可以最高接近100%降低到不足0.011%，擦寫速度經(jīng)過控制后可以基本維持原有水平或者略有減慢。
STEC也正在準(zhǔn)備基于CellCare技術(shù)的新一代企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，使用自己的第四代ASIC主控制器、低成本的cMLC NAND閃存，可以連續(xù)五年做到每天都進(jìn)行十次全盤隨機(jī)寫入，40℃高溫下可保持?jǐn)?shù)據(jù)完整達(dá)三個(gè)月且不損失任何性能。換言之，這相當(dāng)于一塊400GB的固態(tài)硬盤終身寫入大約7.3PB的數(shù)據(jù)。
STEC工程師還對(duì)其進(jìn)行了一系列JEDEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，包括擦寫耐久性和數(shù)據(jù)保持壓力測(cè)試、基于壓力測(cè)試的集成電路驗(yàn)證、固態(tài)硬盤需求和耐久性測(cè)試等等。
據(jù)透露，CellCare技術(shù)將全面進(jìn)駐STEC PCI-E、ZeuslOPS SAS、MACH16 SATA等多條固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候投產(chǎn)。至于是否會(huì)向其它廠商開放這種技術(shù)的授權(quán)，目前還不得而知。