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[導讀]日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號:RFMD),宣布其已被一個主要的 3G/4G 智能手機制造商選中,為該制造商的下一代設備提供支持。下一代設

日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號:RFMD),宣布其已被一個主要的 3G/4G 智能手機制造商選中,為該制造商的下一代設備提供支持。下一代設備包括備受期待的 LTE 智能手機,該款智能手機采用了 RFMD 超高效率 WCDMA 和 4G LTE 功率放大器產(chǎn)品系列的多個變體。
 
RFMD 目前正以一系列高性能產(chǎn)品為這家頂級智能手機制造商的多個設備提供支持,這些產(chǎn)品包括 PowerSmart® 功率平臺、超高效率 3G/4G 功率放大器和多個開關系列組件。
 
RFMD 蜂窩產(chǎn)品組總裁 Eric Creviston 說:“RFMD 將繼續(xù)擴大我們對全球領先智能手機制造商的影響。借此增加我們對不斷增加的流行智能手機產(chǎn)品系列的參與度、提升我們在高增長 LTE 產(chǎn)品領域的地位。我們期待,隨著新項目的不斷增多和新產(chǎn)品系列的不斷推出,我們在未來設備中能發(fā)揮越來越重要的作用。”
 
通過延長電池壽命和降低智能手機中數(shù)據(jù)使用的熱影響,RFMD 的超高效率 3G 和 4G LTE 功率放大器可提供更佳的用戶體驗。該產(chǎn)品系列目前覆蓋了 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 4、7、11、13、17、18、20 和 21,因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 和 LTE頻帶及其頻帶組合。在 2012 年上半年,我們還將推出其他多模式、多頻段 (MMMB) 和單模式 LTE 型號。
 
RFMD 可提供用于單模和整合式架構(gòu)的廣泛 3G 和 4G LTE 解決方案,以確保與領先芯片組供應商的一致性及實現(xiàn)全球網(wǎng)絡兼容。RFMD 的 3G 和 4G LTE 產(chǎn)品系列可降低智能手機中數(shù)據(jù)使用的熱影響,同時能在網(wǎng)上沖浪、視頻電話和互聯(lián)網(wǎng)無線電服務等基于數(shù)據(jù)的應用中實現(xiàn)更長的電池使用時間。

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