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[導(dǎo)讀]據(jù)工業(yè)技術(shù)研究院,隨著2011年下半年景氣看法越趨保守,全球半導(dǎo)體市場從成長5%下修至持平或衰退5%左右,全球內(nèi)存市場也隨之下修,從成長1.2%下修至衰退9.6%。其中DRAM衰退幅度最大達(dá)26.6%,其次Pseudo SRAM衰退10.1

據(jù)工業(yè)技術(shù)研究院,隨著2011年下半年景氣看法越趨保守,全球半導(dǎo)體市場從成長5%下修至持平或衰退5%左右,全球內(nèi)存市場也隨之下修,從成長1.2%下修至衰退9.6%。

其中DRAM衰退幅度最大達(dá)26.6%,其次Pseudo SRAM衰退10.1%,Mask ROM及EPROM都衰退8.0%,NOR Flash衰退4.5%,SRAM衰退4.0%。NAND Flash則是成長20.6%,EEPROM成長3.0%。

因2011年P(guān)C出貨不如預(yù)期,預(yù)估出貨量下修至成長3.4%,DRAM市場供過于求,使得2011年DRAM的每顆平均價格下滑27.0%,DRAM市場需求量只成長0.6%。相較之下,在各式電子產(chǎn)品的多媒體影音及資料儲存需求帶動下,NAND Flash每顆平均價格只下滑1.4%,NAND Flash市場需求量則成長22.2%。 

2011年DRAM市場衰退幅度達(dá)26.6%
圖一 DRAM現(xiàn)貨價格走勢圖

2011年DRAM市場衰退幅度達(dá)26.6%
圖二 NAND Flash現(xiàn)貨價格走勢圖

2011年DRAM市場衰退幅度達(dá)26.6%
表一 2010~2015全球內(nèi)存市場預(yù)估(百萬美元)

2011年<strong><strong>DRAM</strong></strong>市場衰退幅度達(dá)26.6%
表二 2010~2015全球內(nèi)存市場成長率

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