力晶去年12月?tīng)I(yíng)收20.83億元，月增2.8%，終止連續(xù)兩個(gè)月?tīng)I(yíng)收衰退走勢(shì)，較前年同期衰退1.43%；去年第四季62.61億元，季減28%；全年?duì)I收377.15億元，年減52.34%。

力晶、瑞晶去年12月?tīng)I(yíng)收受惠DRAM報(bào)價(jià)上揚(yáng)，分別比去年11月增加2.8%、26%，各為20.83億、17.01億元。力晶看好本季DRAM價(jià)格仍將續(xù)揚(yáng)，加上轉(zhuǎn)型效益發(fā)酵，營(yíng)運(yùn)將較去年第四季回穩(wěn)。

力晶昨天股價(jià)攻上漲停板鎖住，上漲0.06元、收0.98元。

瑞晶去年12月?tīng)I(yíng)收17.01億元，月增率26%，增幅居DRAM廠(chǎng)之冠，年減19.19%；全年總營(yíng)收293.34億元，年減38.65%。

瑞晶受前波DRAM價(jià)格跌價(jià)沖擊，內(nèi)部結(jié)算去年11月稅后凈損20.32億元，與10月虧損程度相當(dāng)；去年前11月稅后凈損49.89億元，以股本294.51億元計(jì)算，每股稅后凈損1.69元。

瑞晶全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程生產(chǎn)，初期仍以2Gb DDR3芯片為主，將擴(kuò)大4Gb容量比重，希望能藉由技術(shù)提升降低成本，走出虧損陰霾。