2G/3G/LTE三種制式將在很長一段時間內(nèi)長期共存
任何一項通信標準從誕生到發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備勢必先行，而終端一致性測試則是驗證移動通信技術(shù)真正成熟的標志。由于通信技術(shù)成熟之前，終端環(huán)節(jié)很難批量部署，不過，TD-LTE從一開始就非常重視終端芯片環(huán)節(jié)開發(fā)，包括從標準化到測試代碼開發(fā)以及儀表開發(fā)均有終端廠商參與，盡量拉近終端與系統(tǒng)側(cè)的差距。聯(lián)芯作為終端產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片廠商，在LTE商用的初級發(fā)展階段，會首先致力于把產(chǎn)品扎實的做好。聯(lián)芯科技正在依靠工藝升級，降低LTE芯片成本，提高芯片性能，提升芯片功能，從而降低了終端廠商的開發(fā)難度、研發(fā)周期和成本，使最終用戶獲得能在未來TD-LTE網(wǎng)絡(luò)使用時獲得最佳的體驗。
聯(lián)芯科技副總裁劉積堂
2012年市場對于多模芯片的需求是大趨勢。2G、3G、LTE三種制式將在很長一段時間內(nèi)長期共存，這就需要TD-LTE兼容以往的模式。另外，對于芯片來說，生產(chǎn)制造成本比較低，更多的成本用于前期的研發(fā)。單模終端的市場相對比較窄，多模設(shè)計能夠為終端提供更大的市場空間，由此而產(chǎn)生的規(guī)模效應(yīng)將使得產(chǎn)品的成本更低。這對于TD-LTE終端芯片的發(fā)展非常重要。
值得一提的是，除了兼容2G與3G，TD-LTE與FDDLTE的共模也是TD-LTE終端芯片發(fā)展的重要方向。目前，大部分芯片廠商已經(jīng)開發(fā)出共模的產(chǎn)品，絕大多數(shù)廠商已經(jīng)開始研發(fā)共模的TD-LTE芯片。業(yè)內(nèi)相關(guān)人士表示，其實，TD-LTE與FDD-LTE之間的技術(shù)差異很小，兩者有90%的部分是相同的。因此，實現(xiàn)共模產(chǎn)品相當于只需追加較少的投入便能夠獲得多支持一種網(wǎng)絡(luò)制式的產(chǎn)品。
同時，LTE終端對基帶芯片的要求體現(xiàn)在：首先是需要支持多種可變帶寬，這需要芯片支持多種不同的采樣率、不同的外部通信接口帶寬等。比如目前全球主要LTE頻段，在FDD-LTE方面，歐洲為2.6GHz，790～862MHz，美國為700MHz，日本為1.5、1.7、2.1GHz。在TDD-LTE頻段方面，中國則采用2.3GHz、2.6GHz，歐洲采用2.6GHz。因此，多模多頻產(chǎn)品有利于TD-LTE走向全球?！?BR>
針對以上趨勢，2011年聯(lián)芯科技發(fā)布了定位于TD-LTE和TD-HSPA雙模基帶芯片的LC1760，目前基于此芯片的數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品正在參加工信部和中國移動的規(guī)模試驗測試。目前，LTE芯片的全部技術(shù)問題，聯(lián)芯科技都已經(jīng)解決，聯(lián)芯科技正在著手下一步的芯片升級。
2011年，部分廠家已經(jīng)推出了LTE手機，但我們認為仍然停留在概念化階段，很多消費者對其概念也是云里霧里。另外，LTE手機耗電量過大等硬傷也是制約其規(guī)?；l(fā)展的一大軟肋，在綜合表現(xiàn)上也很難有“顛覆性的突破”。2012年，聯(lián)芯科技將推出40納米的TD-LTE芯片，可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換，支持下行150兆/秒、上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率，更能滿足國際市場開拓需求。這個芯片將進入試驗網(wǎng)試驗。在試驗網(wǎng)中發(fā)現(xiàn)的任何問題，如功能、性能等，都會得到優(yōu)化。有了這個經(jīng)驗，我們相信這會使得在TD領(lǐng)域推出價格更經(jīng)濟、功能更先進的智能手機成為現(xiàn)實。2012年年底我們還將向28nm或者更先進工藝演進。
附注：ARM中國區(qū)總裁吳雄昂將在今年2月23日早上10:30分發(fā)表題為“未來智能手機的演化進程”的主題演講，隨后飛兆、銳迪科、Amazing Microelectronics和ELK的專家也將發(fā)表有關(guān)智能手機的專題演講，下午3:40分還將舉辦“智能手機會否走2G手機的同質(zhì)化之路”的圓桌討論，地點在深圳會展中心1號館IIC-China 2012展會現(xiàn)場，期待您的光臨。
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