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[導(dǎo)讀]韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下,通過引進(jìn)國(guó)外技術(shù)、消化吸收,最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功,與韓國(guó)政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家級(jí)項(xiàng)目,最廣泛組織起其國(guó)內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢(shì)資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分,這

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下,通過引進(jìn)國(guó)外技術(shù)、消化吸收,最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功,與韓國(guó)政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國(guó)家級(jí)項(xiàng)目,最廣泛組織起其國(guó)內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢(shì)資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分,這也是韓國(guó)人選準(zhǔn)DRAM為突破口高起點(diǎn)起步,并最終建立起自己半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從上世紀(jì)60年代中期,利用海外資本從事晶體管封裝為起點(diǎn)發(fā)展起來的,這期間韓國(guó)盡管沒有專門的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策,僅是把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個(gè)方面加以對(duì)待,但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè),對(duì)促進(jìn)民間資本向電子機(jī)械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動(dòng)作用。

韓國(guó)政府1982年發(fā)布的《半導(dǎo)體工業(yè)扶持計(jì)劃》和《半導(dǎo)體扶持具體計(jì)劃》明確提出,實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)民用消費(fèi)電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)口替代策略,形成一個(gè)完整的國(guó)內(nèi)自給自足的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)。但在80年代初期,韓國(guó)民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展,而是選擇了生產(chǎn)面向國(guó)外工業(yè)用的DRAM,通過引進(jìn)國(guó)外新技術(shù)和設(shè)備,采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。

結(jié)果,韓國(guó)以O(shè)EM形式實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期,“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項(xiàng)目所形成的良性互動(dòng),則促進(jìn)了韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn),韓國(guó)有了加入國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的資本:通過品種多樣化,相應(yīng)發(fā)展起自己的設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè),提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)能力。

到了90年代,韓國(guó)確立了IT立國(guó)戰(zhàn)略方針,在研發(fā)、技術(shù)引進(jìn)、建立經(jīng)濟(jì)特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策,而對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則特別實(shí)行了具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)惠政策。此外,在韓國(guó)政府重點(diǎn)擇優(yōu)扶植,促進(jìn)大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力背景下,韓國(guó)商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績(jī)等條件確定三星集團(tuán)為綜合商社企業(yè),在貿(mào)易行政、財(cái)政金融以及企業(yè)研發(fā)、設(shè)備投資等方面提供全面支持,這是今天的三星全方位形成國(guó)際領(lǐng)先水平的重要基礎(chǔ)。

韓國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的成功,是政府強(qiáng)力支持下的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟成功案例。1986年10月,政府將4M DRAM列為國(guó)家項(xiàng)目,目標(biāo)是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4M DRAM,完全消除與日本公司的技術(shù)差距。為達(dá)此目標(biāo),韓國(guó)政府推動(dòng)了韓國(guó)三大半導(dǎo)體制造商:三星、LG和現(xiàn)代結(jié)盟進(jìn)行技術(shù)開發(fā),并由一個(gè)政府研究所——電子與電信研究所(EM),作為這三大廠商和6所大學(xué)的協(xié)調(diào)者。3年中(1986-1989) 該R&D項(xiàng)目共投入了1.1億美元,而政府承擔(dān)了其中的57%研發(fā)經(jīng)費(fèi),遠(yuǎn)超過其他國(guó)家的資金投入和政府在具體研發(fā)項(xiàng)目中介入的力度。

政府這只推手給韓國(guó)DRAM帶來的變化是,當(dāng)1983年韓國(guó)以64K產(chǎn)品進(jìn)入DRAM領(lǐng)域時(shí),技術(shù)上要落后美日4年時(shí)間。到1988年,三星在韓國(guó)三大企業(yè)中第一個(gè)宣布完成4M DRAM設(shè)計(jì)時(shí),落后日本的時(shí)間已經(jīng)縮短到6個(gè)月。而到1992年的64M產(chǎn)品時(shí),韓國(guó)則與日本DRAM廠商技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了同步。從256M DRAM開始,韓國(guó)則完全處于全球領(lǐng)先水平,并持續(xù)擴(kuò)大自己在DRAM領(lǐng)域技術(shù)開發(fā)速度上的優(yōu)勢(shì)。

大公司戰(zhàn)略構(gòu)筑了韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石,而說到韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),就不得不提及三星(Samsung)。成立于1969年三星電子,是三星集團(tuán)在電子行業(yè)的核心企業(yè),成立初期的主營(yíng)業(yè)務(wù)是白色家電,后來將業(yè)務(wù)拓展到半導(dǎo)體及通信設(shè)備行業(yè)等,時(shí)至今日,三星已經(jīng)成為全球電子及半導(dǎo)體產(chǎn)品線最為齊全的公司。

1974年12月,三星通過收購(gòu)韓國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)入了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這就是后來的三星電子富川半導(dǎo)體工廠。1983年9月,三星開始自建第一個(gè)Fab,并以6個(gè)月的驚人效率建成投入使用。1984年,三星決定在其Fab中建設(shè)第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當(dāng)時(shí),即使是像英特爾、日立和NEC這些技術(shù)領(lǐng)先者,也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。

由于DRAM價(jià)格周期性波動(dòng),以及支付專利使用費(fèi)等多因素所致,到1986年,高速猛進(jìn)的三星半導(dǎo)體累計(jì)虧損了3億美元。但這并未動(dòng)搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心,為此,三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入,反倒是分批追加投資并開始了面向1M DRAM的更高技術(shù)領(lǐng)域開發(fā)。

1987年,三星在DRAM的投資終于取得了回報(bào),所獲利潤(rùn)完全抵消了所有累計(jì)的虧損。三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁李雨潤(rùn)的心得是:“存儲(chǔ)業(yè)是這樣一個(gè)行業(yè),如果你不能在過去進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐顿Y,那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時(shí)賺到錢。你應(yīng)該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤(rùn)而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?!?
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