具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過(guò)來(lái)自中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、國(guó)家電力電子產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中科院半導(dǎo)體所、清華大學(xué)、浙江大學(xué)、電子科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)和西安工程大學(xué)等部門的專家鑒定;部分重點(diǎn)用戶代表也參加了本次鑒定會(huì)。與會(huì)專家一致認(rèn)為：“75A-100A/1200V-1700V NPT IGBT芯片”達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，其中1200V產(chǎn)品的部分主要性能指標(biāo)超過(guò)國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平;“2A-200A/200V-1200V超快軟恢復(fù)外延型二極管芯片”性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，市場(chǎng)反映良好，已經(jīng)批量替代進(jìn)口產(chǎn)品。
具有國(guó)際先進(jìn)水平的國(guó)產(chǎn)宏微系列高壓大電流電力半導(dǎo)體NPT IGBT和FRED芯片的研制成功，將我國(guó)IGBT和FRED的研發(fā)和生產(chǎn)水平提高到了一個(gè)新的高度，是我國(guó)在IGBT 和FRED芯片產(chǎn)業(yè)化方面邁出的重要一步。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于國(guó)防、民用工業(yè)，醫(yī)學(xué)、交通及新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。大大減少了我國(guó)電力電子系統(tǒng)與裝置對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的依賴性。減少系統(tǒng)與裝置的成本，增加產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)性。有助于電力電子產(chǎn)品這一綠色節(jié)能器件在我國(guó)不同行業(yè)、不同區(qū)域的推廣應(yīng)用。有助于推動(dòng)我國(guó)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代和減少工業(yè)污染，提高電能和其它資源的使用效率。