高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出，業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論，將成為這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)發(fā)展的阻礙。

“如果我們無(wú)法解決價(jià)格問(wèn)題，那么TSV的發(fā)展道路將更加漫長(zhǎng)，”Nowak說(shuō)。他同時(shí)指出，在價(jià)格與成本之間仍然存在的極大障礙，加上新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險(xiǎn)，以及實(shí)際的量產(chǎn)需求，形成了三個(gè)TSV技術(shù)所面臨的難題。部份業(yè)界人士認(rèn)為，到2014年，智能手機(jī)用的移動(dòng)應(yīng)用處理器可能會(huì)采用TSV技術(shù)，成為率先應(yīng)用TSV量產(chǎn)的產(chǎn)品。JEDEC正在擬訂一個(gè)支持TSV的Wide I/O存儲(chǔ)器介面，其目標(biāo)是成為下一代采用層疊封裝(PoP)的低功耗DDR3鏈接的繼任技術(shù)。

“可提供12.8GB/s的LPDDR3主要針對(duì)下一代層疊封裝元件應(yīng)用，但Wide I/O也具有其市場(chǎng)潛力，”Nowak說(shuō)，他同時(shí)負(fù)責(zé)高通的TSV技術(shù)部份?！凹夹g(shù)上來(lái)說(shuō)，Wide I/O可自2014年起進(jìn)入應(yīng)用，然而，價(jià)格和商業(yè)模式仍將是該技術(shù)發(fā)展的阻礙。”

TSV技術(shù)承諾將提升性能，同時(shí)也將降低功耗及縮小元件尺寸，以因應(yīng)包括移動(dòng)處理器在內(nèi)的各種應(yīng)用需求。TSV的致命弱點(diǎn)仍然是它的成本，Nowak說(shuō)?！癢ide I/O DRAM的價(jià)格較現(xiàn)有的PoP配置高出許多，而PoP也不斷改良，甚至未來(lái)有可能設(shè)法再開(kāi)發(fā)出一個(gè)新世代的產(chǎn)品，”他表示。

Nowak指出，一個(gè)名為EMC-3D的業(yè)界組織最近表示，以目前用于量產(chǎn)的工具模型為基礎(chǔ)來(lái)推估，TSV將使每片晶圓增加約120美元的成本。目前該技術(shù)仍然缺乏明確的商業(yè)模式，而且定價(jià)問(wèn)題也頗為復(fù)雜，Nowak說(shuō)。例如，當(dāng)晶圓廠制作完成，以及在完成封裝后，哪個(gè)環(huán)節(jié)該為良率負(fù)責(zé)？“一些公司可以扮演整合者的角色，但未來(lái)整個(gè)商業(yè)模式可能會(huì)有稍許改變，”他同時(shí)指出，目前業(yè)界已經(jīng)初步形成了一些TSV供應(yīng)鏈的伙伴關(guān)系。