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[導讀]針對先進高K金屬柵28HPM處理平臺推出全方位物理IP解決方案10月8日,ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯(lián)電(NYSE:UMC; TWSE:2303)近日共同宣布達成長期合作協(xié)議,將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術驗

針對先進高K金屬柵28HPM處理平臺推出全方位物理IP解決方案

10月8日,ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯(lián)電(NYSE:UMC; TWSE:2303)近日共同宣布達成長期合作協(xié)議,將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術驗證的ARM Artisan®物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術的應用范圍極廣,包括手機與無線等便攜設備,以及數(shù)字家庭和高速網(wǎng)絡等高性能應用。此次合作集合了兩家公司的優(yōu)勢,將為雙方的客戶提供卓越的技術與支持。

ARM物理IP部門執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Segars表示:“我們很高興聯(lián)電在28HPM工藝上采用ARM Artisan物理IP。至此,雙方客戶將能夠獲得完整的先進物理IP解決方案用于實現(xiàn) ARM技術,例如ARM CortexTM-A系列處理器。拓展ARM和聯(lián)電的合作關系,將加深雙方在28納米節(jié)點上的工藝技術與先進物理IP的開發(fā)方面的合作與創(chuàng)新,進而優(yōu)化性能、功耗效率和芯片密度,并體現(xiàn)ARM為先進工藝節(jié)點設計提供多樣化技術平臺的承諾。”

聯(lián)電客戶工程與IP研發(fā)設計支持部門副總裁S.C. Chien表示:“我們很高興能進一步拓展與ARM之間已超過10年的長期合作關系。這項由聯(lián)電贊助的發(fā)展計劃,將能夠為客戶在聯(lián)電各個先進的工藝技術上提供全方位的ARM物理IP解決方案,也有助于縮短產(chǎn)品在重要市場應用上的上市時間。此外,這項合作進一步凸顯了我們的承諾,將行業(yè)領先的資源,提供給采用聯(lián)電最尖端的28納米工藝節(jié)點的客戶?!?BR>
聯(lián)電的gate-last 28HPM工藝技術,具有卓越的性能、超低漏電的高K金屬柵結構等特點,能夠提供多種器件電壓、記憶單元、低速或超速運行能力,可以幫助片上系統(tǒng)設計師實現(xiàn)高性能和更長的電池續(xù)航能力。聯(lián)電的28HPM工藝技術預計于2012年中期投入試產(chǎn)。

關于聯(lián)電

聯(lián)電(NYSE:UMC; TWSE: 2303)是半導體晶圓制造業(yè)的領導者,提供先進制程技術與晶圓制造服務,為IC產(chǎn)業(yè)各項主要應用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。聯(lián)電的客戶導向解決方案能讓芯片設計公司利用本公司尖端制程技術的優(yōu)勢,包括通過生產(chǎn)驗證的65納米制程技術、45/40納米制程技術、混合信號/RFCMOS技術,以及其它多樣的特殊制程技術。聯(lián)電擁有10座晶圓廠,其中兩座為300mm廠。位于臺灣的Fab 12A和新加坡的Fab 12i均能量產(chǎn)各類半導體產(chǎn)業(yè)所需的產(chǎn)品。聯(lián)電在全球約有超過13,000名員工,在臺灣、日本、新加坡、歐洲及美國均設有服務據(jù)點,以滿足全球客戶的需求。更多關于聯(lián)電詳情,請至http://www.umc.com

關于ARM

ARM公司設計先進的數(shù)字產(chǎn)品核心應用技術,應用領域從無線、網(wǎng)絡和消費娛樂解決方案到影像、汽車電子、安全應用及存儲裝置。 ARM提供廣泛地產(chǎn)品,包括: 32位RISC微處理器、圖形處理器、視頻引擎、軟件(enabling software)、單元庫、嵌入式存儲器、高速連接產(chǎn)品(PHY)、I/O(外設)和開發(fā)工具。 ARM公司綜合了全面設計、培訓、支持和維護方案等服務,通過協(xié)同眾多技術合作伙伴為業(yè)界領先的電子企業(yè)提供快速、可靠的完整系統(tǒng)解決方案。欲了解ARM公司詳情,請訪問以下連接:

ARM公司網(wǎng)站:http://www.arm.com/
ARM Connected Community:http://cc.arm.com
ARM 公司博客:http://blogs.arm.com/
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