蘋果陸續(xù)推出可攜式多媒體播放裝置iPod、智慧型手機(jī)iPhone，及平板裝置iPad等系列產(chǎn)品后，確實(shí)帶動(dòng)一波可攜式電子產(chǎn)品銷售熱潮，亦讓蘋果全年?duì)I收從2006年193億美元逐年成長(zhǎng)至2010年652.2億美元，營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)完全無視于2008年下半金融海嘯的襲擊。

然而，從市場(chǎng)面來觀察，蘋果先是遇到來自代工伙伴三星電子(Samsung Electronics)的挑戰(zhàn)，除蘋果已采取訴訟手段來維護(hù)自家權(quán)益外，與三星合作關(guān)系是否降低，并將主要半導(dǎo)體代工與采購訂單自三星移轉(zhuǎn)出去，都將影響到未來數(shù)年全球IC制造產(chǎn)業(yè)版圖的變化。

再者，從半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)角度來觀察，也導(dǎo)因于蘋果所造成可攜式電子產(chǎn)品銷售熱潮，亦導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所推出可攜式電子產(chǎn)品規(guī)格要求亦以超越蘋果為目標(biāo)，這也促使IC制造業(yè)者在先進(jìn)微縮制程與IC疊堆技術(shù)的研發(fā)更是加快腳步在進(jìn)行。

從2009年~2011年全球半導(dǎo)體采購金額前5大廠商排名觀察，2010年HP仍拔得頭籌，半導(dǎo)體采購金額達(dá)170.6億美元，較2009年129.2億美元成長(zhǎng)32%。三星電子(Samsung Electronics)則以153.2億美元金額排名第2，較2009年116.9億美元成長(zhǎng)31.1%。至于蘋果則由2009年75.2億美元成長(zhǎng)至124.3億美元，年成長(zhǎng)率達(dá)65.4%，排名亦由2009年第4名攀升2010年第3名。至于Nokia，半導(dǎo)體采購金額則由2009年111.7億美元成長(zhǎng)至117億美元，年成長(zhǎng)率僅達(dá)4.7%。Dell半導(dǎo)體采購金額從2009年70.3億美元成長(zhǎng)至2010年104.3億美元，年成長(zhǎng)率48.3%，擠下Sony，攀升至第5名。

2010年蘋果半導(dǎo)體采購金額雖僅排第3名，但65.4%年成長(zhǎng)率卻在前5名廠商中排名第1，預(yù)估2011年蘋果將擠下三星，攀升至第2名的位置，亦顯示蘋果對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響與日具增。

蘋果雖非2009年與2010年全球半導(dǎo)體采購金額第1名，但在NAND Flash的采購量卻是全球第1，至2010年，蘋果于NAND Flash采購量達(dá)全球NAND Flash市場(chǎng)30%，且較2009年20%大幅提升10%，顯見蘋果于NAND Flash需求市場(chǎng)地位日漸提高。

蘋果主要商品包括可攜式多媒體播放裝置iPod系列、智慧型手機(jī)iPhone系列，及平板裝置iPad系列。這些產(chǎn)品最重要半導(dǎo)體元件包括應(yīng)用處理器(Application Processor；AP)、Mobile DRAM，與NAND Flash。

應(yīng)用處理器從前一代的A4，到2011年主流產(chǎn)品A5，皆由三星獨(dú)家代工。由于Mobile DRAM是以PoP(Package on Package)方式封裝于A4、A5之中，因此，Mobile DRAM亦是以三星為主要供應(yīng)商。至于NAND Flash則因Toshiba在3bits具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)而被蘋果采用。

包括智慧型手機(jī)與平板裝置，三星Galaxy系列產(chǎn)品與蘋果多所類似，且在市場(chǎng)銷售方面對(duì)蘋果有造成威脅疑慮，蘋果亦對(duì)三星提出侵權(quán)訴訟官司。

臺(tái)積電對(duì)爭(zhēng)取蘋果 AP代工訂單最為積極，且具有28奈米制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，若未來蘋果 AP代工訂單全數(shù)或部分由三星移出，臺(tái)積電將會(huì)是首要選擇對(duì)象。臺(tái)積電若能順利爭(zhēng)取到來自蘋果 AP代工訂單，將有利于臺(tái)積電于晶圓代工市場(chǎng)全球市占率提升。

2011年蘋果所采用Mobile DRAM雖以三星為主要供應(yīng)商，但也有少量是采用海力士(Hynix)產(chǎn)品。未來蘋果若真的大量采用非三星產(chǎn)品，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)皆能提供Mobile DRAM解決方案。但以微縮制程技術(shù)來看，爾必達(dá)已能提供30奈米制程解決方案，海力士則提供40奈米制程解決方案，至于美光，則還停留在50奈米制程水準(zhǔn)。從低耗電與高效能特性考量，爾必達(dá)與海力士較有機(jī)會(huì)爭(zhēng)取到蘋果訂單。

至于NAND Flash，2011年Toshiba仍為蘋果主要供應(yīng)商，就以制程技術(shù)分析，Toshiba與SanDisk皆已導(dǎo)入19奈米制程，且運(yùn)用于消費(fèi)性應(yīng)用固態(tài)硬碟3bits技術(shù)亦處于領(lǐng)先地位。至于Intel與美光則以跨入20奈米制程，成本與19奈米制程相去不遠(yuǎn)，但I(xiàn)ntel與美光專注于發(fā)展用于工業(yè)用固態(tài)硬碟產(chǎn)品，較擅長(zhǎng)SLC技術(shù)。因此，Toshiba與SanDisk較有機(jī)會(huì)爭(zhēng)取到未來蘋果訂單。

蘋果所推出iPhone與iPod系列產(chǎn)品確實(shí)帶動(dòng)可攜式電子產(chǎn)品市場(chǎng)快速成長(zhǎng)。但在可攜式電子產(chǎn)品朝向短小輕薄、節(jié)能省電、高整合、高效能、高容量等5大特性發(fā)展情況下，半導(dǎo)體技術(shù)亦將會(huì)朝滿足終端產(chǎn)品需求進(jìn)行研發(fā)。在跨入20奈米制程后，微縮制程技術(shù)發(fā)展將會(huì)趨緩，因此，IC制造技術(shù)將會(huì)朝向2.5D的系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package；SiP)與3D的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV) 3D IC技術(shù)發(fā)展。

導(dǎo)因于消費(fèi)性電子產(chǎn)品生產(chǎn)成本降低是重要考量因素，但若采用晶片堆疊技術(shù)，不僅可以減少IC使用顆數(shù)，就連PCB板使用面積都能下降近60%，有助于成本的下降。

在蘋果帶來的可攜式消費(fèi)性電子產(chǎn)品風(fēng)潮后，Digitimes認(rèn)為IC制造業(yè)將有3大趨勢(shì)值得關(guān)注：

1、晶圓代工市場(chǎng)：若蘋果次世代AP晶片真的由原本三星代工移轉(zhuǎn)至由臺(tái)積電代工，將有利于臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)市占率進(jìn)一步提升，并與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手市占差距明顯拉大，臺(tái)積電于全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位將更加穩(wěn)固。

2、制程技術(shù)發(fā)展：包括iPhone與iPad熱銷，確實(shí)帶動(dòng)可攜式電子產(chǎn)品市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，但也導(dǎo)因于可攜式電子產(chǎn)品低功耗、高效能，及輕薄短小的諸多要求下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將加速提升45nm至20nm高階制程技術(shù)研發(fā)與導(dǎo)入量產(chǎn)的速度，來自高階制程的產(chǎn)值比重亦會(huì)快速提升。

3、IC堆疊技術(shù)：可攜式電子產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展中，除低功耗、高效能、高容量、高整合等特性需要兼顧外，降低成本亦是重要考量因素之一，因此，2.5D的系統(tǒng)級(jí)封裝(System in Package；SiP)與3D的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV) 3D IC技術(shù)發(fā)展與普及將會(huì)加速。