（無忌）北京時(shí)間7月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存芯片制造商海力士和東芝周三聯(lián)合宣布，兩家公司將聯(lián)合開發(fā)磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）產(chǎn)品。
東芝與海力士共同簽署的聲明稱，一旦MRAM的技術(shù)開發(fā)完成，兩家公司將建立一家專業(yè)制造MRAM芯片的合資公司。
MRAM使用磁性儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，與目前電腦和其他數(shù)碼產(chǎn)品中廣泛使用的內(nèi)存芯片相比，MRAM的耗電量更低。