全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉(zhuǎn)換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida)，可能會更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對此說法，海力士反駁道，目前皆依照計劃日程順利進行轉(zhuǎn)換中。

南韓相關(guān)業(yè)者引用DRAMeXange報告指出，三星電子(SamsungElectronics)、海力士、爾必達等主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者展開轉(zhuǎn)換至30納米等級以下微細制程的激烈競爭，其中三星與其他競爭業(yè)者維持相當(dāng)大的差距。

三星30納米制程比重持續(xù)擴大，至2011年底預(yù)估將可擴大至50%。爾必達計劃從6月開始投入30納米制程量產(chǎn)，以年底達到整體產(chǎn)量50%為目標積極作業(yè)中。

而海力士從2011年第1季開始在30納米制程中首度采用6F2Layout進行生產(chǎn)，但至2011年下半在擴大30納米制程比重仍受限制，主要原因在海力士是首度在30納米制程中采用6F2技術(shù)，而30納米制程轉(zhuǎn)換作業(yè)又有技術(shù)上的困難。南韓證券專家對海力士是否能順利擴大30納米制程比重也抱持尚待觀察的態(tài)度。

9個多月前三星便已開始轉(zhuǎn)換到30納米制程，目前仍未能大幅擴大比重，而海力士轉(zhuǎn)換制程至今約4個月，仍難說會有怎樣的成果。南韓MiraeAssetSecurities分析師表示，40納米以下的制程比起現(xiàn)有制程，在技術(shù)方面的難易度較高，因此較難預(yù)測未來是否能順利轉(zhuǎn)換成功。三星從以前就已經(jīng)使用6F2技術(shù)，而海力士則是從30納米制程才開始采用6F2技術(shù)，在擴大比重方面較難抱持樂觀態(tài)度。如果海力士在轉(zhuǎn)換到30納米制程上仍無法擺脫瓶頸，恐怕會被爾必達趕過。

對于外界的評價，海力士表示，進行尖端技術(shù)開發(fā)已有一段時日，且擴大資本支出，在擴大比重方面不會有問題。海力士相關(guān)人員表示，從第1季開始投入30納米DRAM量產(chǎn)，計劃至年底將比重擴大至40%。且海力士為了使用6F2技術(shù)，從過去就已持續(xù)進行相關(guān)研究，目前正順利進行制程轉(zhuǎn)換當(dāng)中，在擴大比重方面也將會依照日程順利進行。