盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級制程投入量產(chǎn)使用才較有實際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級制程節(jié)點轉(zhuǎn)移時，所需的產(chǎn)品驗證時間越來越長，便是這一看法的明證之一。
據(jù)業(yè)者透露，30nm級別制程的NAND閃存產(chǎn)品初定的客戶驗證時長是在3-6個月左右，但是后來由于閃存產(chǎn)品的性能，質(zhì)量和可靠性方面的要求提升，客戶們已經(jīng)將產(chǎn)品的驗證時間延長到了9個月。
消息來源還透露說三星和東芝的2xnm制程級別NAND芯片目前也都還沒有通過其最大客戶蘋果的驗證。
在新制程產(chǎn)品的量產(chǎn)方面，Intel和鎂光走在了前面，他們共同開發(fā)的25nm制程芯片已經(jīng)于今年上半年投入了量產(chǎn)，而三星則隨后才開始提升其27nm閃存芯片的產(chǎn)量，東芝的24nm產(chǎn)品以及Hynix的26nm產(chǎn)品也隨后跟進提升產(chǎn)量。這標志著各家主要的NAND閃存廠商開始了爭相轉(zhuǎn)移到20nm級別制程的新一輪競賽。
由于鎂光和Intel定于今年下半年從25nm制程轉(zhuǎn)向20nm制程，加上三星，東芝和Hynix屆時也會分別從27nm轉(zhuǎn)向21nm節(jié)點，從24nm轉(zhuǎn)向19nm以及從26nm轉(zhuǎn)向20nm制程節(jié)點，因此預計到時NAND閃存芯片市場的競爭將變得非常激烈。