臺灣晶圓代工巨頭臺積電的一名高管表示，目前臺積電對28納米(nm)工藝的IC設計極為重視，投入是之前40納米工藝準備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多。

“智能手機與平板電腦是新的殺手級應用，”臺積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced表示，“我們預見到了28納米工藝設計爆發(fā)的局面，目前我們有89款28nm產(chǎn)品已經(jīng)或即將流片?！彼f，臺積電占有全世界90%的28nm產(chǎn)品方案。

Marced還表示，臺積電目前已經(jīng)開始向部分客戶出貨28nm硅片?！耙苿踊ヂ?lián)網(wǎng)在同樣性能的前提下，要求更低的功耗?！迸_積電(臺灣新竹)在28nm工藝上正在提供高k金屬柵極工藝(HKMG)和傳統(tǒng)的多晶硅工藝，而下一代20nm產(chǎn)品預計在2012年下半年就會量產(chǎn)?！?BR>
但是，臺積電至少要等到14納米節(jié)點才會采用FinFET技術。據(jù)說該技術對于移動應用非常有利。這與英特爾相反。英特爾最近宣布把FinFET用于其1270制程(22納米)。1270制程已開始進行生產(chǎn)，而今年下半年晚些時候，位于亞利桑那的F32工廠將開始量產(chǎn)。英特爾把FinFET稱為三柵技術。

這將使英特爾在工藝尺寸方面領先臺積電一年左右，而在采用FinFET工藝方面則領先更長時間。據(jù)說FinFET在這些更小的節(jié)點上，可以提供比平面晶體管更好的功耗性能。

Maria Marced表示，英特爾是一家垂直整合型企業(yè)，控制了設計、制造和測試的所有環(huán)節(jié)，因此能夠比臺積電更快地采用FinFET技術?！拔覀冃枰却鼺inFET的生態(tài)系統(tǒng)建立，其中包括設計工具、知識產(chǎn)權、設計套件等等。對于我們來說，20nm仍會是平面晶體管。”

Marced認為，智能手機/平板電腦殺手級應用方面的設計數(shù)量激增，是臺積電2011年增長速度將超過整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一。臺積電計劃2011年實現(xiàn)營收增長20%，但預計整體產(chǎn)業(yè)增長15%。同時，臺積電認為整體半導體市場將僅增長2%。