[導讀]市場調(diào)查機構 DRAMeXchange 11 日針對 DRAM 合約價走勢發(fā)表調(diào)查報告,表示 DRAM 四月上旬合約價再度上揚,主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應煉,加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題,
市場調(diào)查機構 DRAMeXchange 11 日針對 DRAM 合約價走勢發(fā)表調(diào)查報告,表示 DRAM 四月上旬合約價再度上揚,主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應煉,加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題,令 DRAM 出產(chǎn)受到影響,在 PC- OEM 廠商加強備貨下,令合約價得以攀升。
據(jù) DRAMeXchange 指出,受到上月日本關東地震影響,當?shù)毓杈A廠商雖然目前正釋出手上庫存,令正常供應可維持一個月以上,但如不能在近期恢復正常運作, DRAM 供應煉始終會受到?jīng)_擊,使其產(chǎn)出受到影響,因此 PC-OEM 廠商在供貨穩(wěn)定的疑慮下,加強了備貨意欲。
同時,近期有部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題,使 DRAM 產(chǎn)出再出現(xiàn)變量,在種種因素之下,部份 PC- OEM 廠決定拉高庫存水位,與 DRAM 廠議定合約價時亦接受較高的價格,令到四月上旬 DRAM 合約價攀升。
目前, DDR3 2GB 四月上旬合約均價達到 $18 美元,升幅約為 5.88% ; DDR3 4GB 四月上旬合約均價達到 $35 美元,升幅約為 6.1% ,平均每顆 2Gb 顆粒價格為 $2.03 美元。
據(jù) DRAMeXchange 調(diào)查指出,日本東北大地震過后,不少 DRAM 生產(chǎn)商已開始將部份 DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 NAND Flash 產(chǎn)品,其中包括業(yè)界龍頭 SAMSUNG ,顯見 NAND Flash 產(chǎn)品后市比 DRAM 產(chǎn)品更為看好,而據(jù) DRAMeXchange 預期,假如硅晶圓短期內(nèi)出現(xiàn)短缺,廠商將會以將滿足 Flash 產(chǎn)品為優(yōu)先考慮。
此外,日系的 Elipda 也已暫緩廣島廠中標準型 DRAM 生產(chǎn),目前僅保留附加價值高的行動式內(nèi)存生產(chǎn)及部份代工業(yè)務,并將標準型 DRAM 生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)交子公司瑞晶及代工廠力晶負責,而據(jù) DRAMeXchange 指出,瑞晶將加速 38nm 及下半年 32nm 制程轉(zhuǎn)進,即使面對投片的不確定性,亦能保持產(chǎn)出量不變,同時力晶方面也將拉高 45nm 制程投片與毛利較高的代工業(yè)務比例,確保獲利能力不受地震影響。
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