市場調(diào)查機構(gòu) DRAMeXchange 11 日針對 DRAM 合約價走勢發(fā)表調(diào)查報告，表示 DRAM 四月上旬合約價再度上揚，主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應(yīng)煉，加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題，令 DRAM 出產(chǎn)受到影響，在 PC- OEM 廠商加強備貨下，令合約價得以攀升。
據(jù) DRAMeXchange 指出，受到上月日本關(guān)東地震影響，當(dāng)?shù)毓杈A廠商雖然目前正釋出手上庫存，令正常供應(yīng)可維持一個月以上，但如不能在近期恢復(fù)正常運作， DRAM 供應(yīng)煉始終會受到?jīng)_擊，使其產(chǎn)出受到影響，因此 PC-OEM 廠商在供貨穩(wěn)定的疑慮下，加強了備貨意欲。
同時，近期有部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題，使 DRAM 產(chǎn)出再出現(xiàn)變量，在種種因素之下，部份 PC- OEM 廠決定拉高庫存水位，與 DRAM 廠議定合約價時亦接受較高的價格，令到四月上旬 DRAM 合約價攀升。
目前， DDR3 2GB 四月上旬合約均價達到 $18 美元，升幅約為 5.88% ； DDR3 4GB 四月上旬合約均價達到 $35 美元，升幅約為 6.1% ，平均每顆 2Gb 顆粒價格為 $2.03 美元。

據(jù) DRAMeXchange 調(diào)查指出，日本東北大地震過后，不少 DRAM 生產(chǎn)商已開始將部份 DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 NAND Flash 產(chǎn)品，其中包括業(yè)界龍頭 SAMSUNG ，顯見 NAND Flash 產(chǎn)品后市比 DRAM 產(chǎn)品更為看好，而據(jù) DRAMeXchange 預(yù)期，假如硅晶圓短期內(nèi)出現(xiàn)短缺，廠商將會以將滿足 Flash 產(chǎn)品為優(yōu)先考慮。
此外，日系的 Elipda 也已暫緩廣島廠中標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 生產(chǎn)，目前僅保留附加價值高的行動式內(nèi)存生產(chǎn)及部份代工業(yè)務(wù)，并將標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)交子公司瑞晶及代工廠力晶負責(zé)，而據(jù) DRAMeXchange 指出，瑞晶將加速 38nm 及下半年 32nm 制程轉(zhuǎn)進，即使面對投片的不確定性，亦能保持產(chǎn)出量不變，同時力晶方面也將拉高 45nm 制程投片與毛利較高的代工業(yè)務(wù)比例，確保獲利能力不受地震影響。