中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”），中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路代工廠，日前宣布截至二零一零年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核合并業(yè)績。

摘要資料包括：
銷售額由二零零九年的1,070.4百萬美元增加45.3%至二零一零年的1,554.8百萬美元，主要是由于整體晶圓付運量增加所致。二零一零年全年，晶圓總付運量為1,985,974片8?等值晶圓，較去年增加44.3%。
本公司付運晶圓的平均售價由每片晶圓778美元增加0.6%至每片晶圓783美元。倘剔除DRAM業(yè)務的收益，利用0.13微米或以下?程技術(shù)的晶圓收入所?百分比在上述兩個期間自47.5%升至54.5%。
本公司二零一零年的收入凈額為14.0百萬美元，而二零零九年則有962.5百萬美元的虧損凈額。
業(yè)務回顧
盡管二零一零年的營商環(huán)境嚴峻，但中芯國際按新高管人員的方針，繼續(xù)擴充產(chǎn)品組合與客戶群。本公司仍持續(xù)受惠于其位于規(guī)模最大、增長最快的中國集成電路市場的策略性地位，目睹國內(nèi)穩(wěn)定增長，尤其是振興經(jīng)濟計劃點燃強勁內(nèi)需。鑒于本公司業(yè)務于二零一零年開始改善與恢復，加上產(chǎn)能利用率于第四季反彈至96.8%，本公司來自更先進0.13微米及以下?程的收益錄得大幅增長。

財務回顧
二零一零年，本公司經(jīng)營活動所得現(xiàn)金為694.6百萬美元。二零一零年資金開支總計728百萬美元，主要用于研發(fā)65納米技術(shù)、45納米技術(shù)及32納米技術(shù)以及北京晶圓廠拓展及發(fā)展的12?先進技術(shù)。邁步向前，我們將繼續(xù)增加資金開支，改善效能，培育創(chuàng)意，充實財力，維持我們持續(xù)的盈利能力。

客戶及市場
中芯國際的客戶遍布全球，包括主要的集成設備?造商、芯片設計公司及系統(tǒng)公司。憑藉本公司于中國的策略優(yōu)勢，年內(nèi)本公司于大中華市場的業(yè)務增長強勁，對收益總額的貢獻自二零零九年的35%增至二零一零年的39%。
按地區(qū)收入計算，北美客戶貢獻收益總額的55%，仍屬于中芯國際二零一零年最大的客戶組別，反映先進制程的強勁增長。于其他地區(qū)，中國本土客戶于二零一零年的貢獻收益總額為28%，臺灣客戶緊隨其后貢獻11%。
通訊產(chǎn)品?貢獻收益總額的49%，繼續(xù)成為本公司最大業(yè)務分部。同樣地，消費產(chǎn)品貢獻的收益比例自二零零九年的38%增至二零一零年的40%。本公司的北美客戶（包括主要的集成設備?造商及芯片設計公司）對通訊產(chǎn)品（主要為移動電話、網(wǎng)絡及WLAN（無線區(qū)域網(wǎng)絡）應用產(chǎn)品）的需求強勁，而中國客戶則對消費及通訊產(chǎn)品（包括數(shù)碼電視、電視機頂盒、移動電話，可攜式媒體播放器(PMP)及個人電子助理(PDA)產(chǎn)品）的需求強勁。

在按技術(shù)標準劃分的收益方面，0.13微米及以下?程的收益自二零零九年的48%增至二零一零年的52%，而65納米技術(shù)對二零一零年晶圓收益貢獻5%。另外，45納米低功耗技術(shù)開發(fā)如期進行，本公司同時將技術(shù)供應擴展至40納米，另外擴充至包括55納米。
二零一零年，本公司新增41名客戶，大部分新客戶為中國的芯片設計公司，本公司營收因此錄得高速增長。尤其是，無論按收益計算，抑或按?用先進技術(shù)的新產(chǎn)品（部分為65納米技術(shù)）數(shù)量計算，本公司的中國業(yè)務一直穩(wěn)步增長。此項趨勢亦顯示，中國的創(chuàng)新與設計能力正以高速趕上世界各國。在中國的芯片設計公司中，具備創(chuàng)新設計與產(chǎn)品且潛力優(yōu)厚的一眾新星持續(xù)出現(xiàn)，本公司為該等公司提供多款應用技術(shù)，包括CMOS圖像感應器(CIS)、CMMB移動電視、高清電視、RFID、無線產(chǎn)品及其他產(chǎn)品。為達到此項目標，中芯國際維持與中國現(xiàn)有客戶及新增客戶一貫合作承諾，進而?穩(wěn)作為市場上領先代工企業(yè)的地位，與此同時，本公司將繼續(xù)拓展全球市場。
研發(fā)
本公司二零一零年的研發(fā)開支為174.9百萬美元，?本公司銷售額11.2%。
研發(fā)工作主要集中于本公司的邏輯晶圓及系統(tǒng)晶片(SOC)業(yè)務。中芯國際于二零一零年開創(chuàng)多個重要里程碑。年初，中芯國際向格科微電子以CMOS圖像傳感器加工技術(shù)交付10萬片8?晶圓。Synopsys于5月宣布開始提供用于65納米低漏電工藝技術(shù)的經(jīng)硅驗證和獲得USB標志認證的DesignWareUSB2.0nanoPhy知識產(chǎn)權(quán)。此外，本公司與領先芯片設計公司合作無間，共同研發(fā)65納米及40納米的低漏電工藝技術(shù)。至于系統(tǒng)晶片(SOC)之技術(shù)，ARM與中芯國際協(xié)定在65納米和40納米低漏電工藝節(jié)點上合作開發(fā)先進的ARM領先物理IP庫平臺。我們65納米低漏電工藝已成功步進量產(chǎn)階段，自二零零九年第三季度量產(chǎn)開始，累計已付運晶圓超過1萬片，大多在其北京300mm芯片廠生產(chǎn)。

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