[導(dǎo)讀]初創(chuàng)公司MearsTechnologies聲稱清除了芯片工業(yè)半導(dǎo)體國際技術(shù)藍(lán)圖目標(biāo)的最后幾只攔路虎之一——門泄漏，將摩爾定律延伸至22納米節(jié)點。通過改變晶體管通道，Mears表示其技術(shù)讓摩爾定律發(fā)揮出新的生命力。該技術(shù)用硅超
初創(chuàng)公司MearsTechnologies聲稱清除了芯片工業(yè)半導(dǎo)體國際技術(shù)藍(lán)圖目標(biāo)的最后幾只攔路虎之一——門泄漏，將摩爾定律延伸至22納米節(jié)點。通過改變晶體管通道，Mears表示其技術(shù)讓摩爾定律發(fā)揮出新的生命力。該技術(shù)用硅超晶格來阻擋門泄漏。
SemicoResearch公司戰(zhàn)略技術(shù)副總裁MorryMarshall表示，“65納米以下最大的問題是門泄漏，Mears似乎擁有了解決方案。如果方案果真如Mears所說的那樣，那么工業(yè)界將會迅速采納。唯一阻擋其普及的是保守主義、懷疑論和非本地發(fā)明綜合癥。”
該公司聲稱，其超晶格增強(qiáng)了通道平面內(nèi)的載流子遷移率，同時阻止與芯片平面垂直的門泄漏。ICInsights公司技術(shù)副總裁TrevorYancey表示：“它們將單層放下來，有些層傳導(dǎo)性很強(qiáng)，但它們輪流交替阻擋垂直方向上流動的電流，因此緩解了門泄漏。”
Mears聲稱其超晶格在晶體管通道生長期間，僅用額外的幾個步驟即可被添加到現(xiàn)有的CMOS工藝內(nèi)。
半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖試圖匯總芯片制造資源來解決阻礙摩爾定律發(fā)展的問題。Semico的Marshall表示：“在應(yīng)變硅之前前景黯淡，沒有人能預(yù)見如何保持性能同時降低功耗?！睉?yīng)變硅減少了有效的電子質(zhì)量，因此增加了遷移率，使過渡到65納米成為可能。絕緣硅也在65納米節(jié)點，通過電氣絕緣的相鄰器件和創(chuàng)新器件布局，增強(qiáng)了CMOS電路性能。但應(yīng)變硅和絕緣硅技術(shù)都沒有解決門泄漏問題，采用高K介電質(zhì)甚至金屬門或許有可能緩解這一問題。
Mears即將上任的CEONeilVasant表示：“我們的技術(shù)能被增添到應(yīng)變硅、絕緣硅或者甚至是體CMOS，其它技術(shù)可以在未來5年或10年內(nèi)隨著生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，與我們的技術(shù)一起交相輝映。”
該公司聲稱，其超晶格增強(qiáng)了通道平面內(nèi)的載流子遷移率，同時阻止與芯片平面垂直的門泄漏。ICInsights公司技術(shù)副總裁TrevorYancey表示：“它們將單層放下來，有些層傳導(dǎo)性很強(qiáng)，但它們輪流交替阻擋垂直方向上流動的電流，因此緩解了門泄漏。”
Mears聲稱其超晶格在晶體管通道生長期間，僅用額外的幾個步驟即可被添加到現(xiàn)有的CMOS工藝內(nèi)。
半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖試圖匯總芯片制造資源來解決阻礙摩爾定律發(fā)展的問題。Semico的Marshall表示：“在應(yīng)變硅之前前景黯淡，沒有人能預(yù)見如何保持性能同時降低功耗?！睉?yīng)變硅減少了有效的電子質(zhì)量，因此增加了遷移率，使過渡到65納米成為可能。絕緣硅也在65納米節(jié)點，通過電氣絕緣的相鄰器件和創(chuàng)新器件布局，增強(qiáng)了CMOS電路性能。但應(yīng)變硅和絕緣硅技術(shù)都沒有解決門泄漏問題，采用高K介電質(zhì)甚至金屬門或許有可能緩解這一問題。
Mears即將上任的CEONeilVasant表示：“我們的技術(shù)能被增添到應(yīng)變硅、絕緣硅或者甚至是體CMOS，其它技術(shù)可以在未來5年或10年內(nèi)隨著生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，與我們的技術(shù)一起交相輝映。”
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