繼臺積電、新加坡特許半導(dǎo)體（CharteredSemiconductor）宣布45納米制程技術(shù)已具相當(dāng)成熟度，聯(lián)電也于20日宣布其南科12寸廠12A以浸潤式微影技術(shù)成功產(chǎn)出45納米測試芯片，聯(lián)電對此先進(jìn)制程研發(fā)的大躍進(jìn)相當(dāng)振奮。聯(lián)電宣布的這項(xiàng)成果，也代表臺積電、聯(lián)電、特許都已具有45納米開發(fā)能力，三方皆已技術(shù)到位。

聯(lián)電表示，已成功產(chǎn)出比0.25平方微米更小的45納米靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SRAM）芯片。此芯片采用聯(lián)華電子所獨(dú)立發(fā)展的邏輯制程，在12層重要層中使用復(fù)雜的浸潤式微影術(shù)，并且結(jié)合最新的尖端技術(shù)如超淺接點(diǎn)技術(shù)、遷移率提升技術(shù)以及超低介電值技術(shù)（k=2.5）。 

負(fù)責(zé)督導(dǎo)中央研究發(fā)展部與Fab12A的聯(lián)電執(zhí)行副總孫世偉表示，由于45納米制程技術(shù)必須同時(shí)采用新的材質(zhì)與制程模塊，是相當(dāng)具有挑戰(zhàn)性的世代，聯(lián)電作為全球少數(shù)率先產(chǎn)出45納米制程測試芯片的公司感到非常振奮，未來也會持續(xù)提升45納米制程的良率，籌備將此項(xiàng)技術(shù)提供給客戶使用。 

據(jù)目前國內(nèi)晶圓大廠臺積電、聯(lián)電在45納米制程技術(shù)最新進(jìn)展，臺積電45納米制程技術(shù)已最佳可做到零缺陷密度，聯(lián)電這次宣布成功量產(chǎn)測試芯片也代表其技術(shù)上的大躍進(jìn)。至于試產(chǎn)時(shí)程，臺積電、聯(lián)電皆不約而同預(yù)估2007年下半將邁入試產(chǎn)，這也使得臺積電、聯(lián)電在制程差距上時(shí)程不斷縮短。 

聯(lián)電表示，45納米制程技術(shù)配有微縮30％的設(shè)計(jì)規(guī)則，將具有微縮50％的六晶體管SRAM組件尺寸的能力，可較65納米制程高出30％的芯片效能。目前65納米制程目前已有數(shù)字客戶采用，并將于本季放量成長。目前主導(dǎo)聯(lián)電45納米制程的研發(fā)是在位于南臺灣的南部科學(xué)園區(qū)的12寸晶圓廠Fab12A。

除聯(lián)電外，其轉(zhuǎn)投資IC設(shè)計(jì)服務(wù)業(yè)者智原也宣布結(jié)合聯(lián)電先進(jìn)制程0.13微米，開發(fā)出超高速32位CPU架構(gòu)，可說聯(lián)電、及其旗下轉(zhuǎn)投資智原都全力朝先進(jìn)制程挺進(jìn)。