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[導(dǎo)讀]繼臺積電、新加坡特許半導(dǎo)體(CharteredSemiconductor)宣布45納米制程技術(shù)已具相當(dāng)成熟度,聯(lián)電也于20日宣布其南科12寸廠12A以浸潤式微影技術(shù)成功產(chǎn)出45納米測試芯片,聯(lián)電對此先進制程研發(fā)的大躍進相當(dāng)振奮。聯(lián)電宣

臺積電、新加坡特許半導(dǎo)體(CharteredSemiconductor)宣布45納米制程技術(shù)已具相當(dāng)成熟度,聯(lián)電也于20日宣布其南科12寸廠12A以浸潤式微影技術(shù)成功產(chǎn)出45納米測試芯片,聯(lián)電對此先進制程研發(fā)的大躍進相當(dāng)振奮。聯(lián)電宣布的這項成果,也代表臺積電、聯(lián)電、特許都已具有45納米開發(fā)能力,三方皆已技術(shù)到位。

聯(lián)電表示,已成功產(chǎn)出比0.25平方微米更小的45納米靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)芯片。此芯片采用聯(lián)華電子所獨立發(fā)展的邏輯制程,在12層重要層中使用復(fù)雜的浸潤式微影術(shù),并且結(jié)合最新的尖端技術(shù)如超淺接點技術(shù)、遷移率提升技術(shù)以及超低介電值技術(shù)(k=2.5)。 

負(fù)責(zé)督導(dǎo)中央研究發(fā)展部與Fab12A的聯(lián)電執(zhí)行副總孫世偉表示,由于45納米制程技術(shù)必須同時采用新的材質(zhì)與制程模塊,是相當(dāng)具有挑戰(zhàn)性的世代,聯(lián)電作為全球少數(shù)率先產(chǎn)出45納米制程測試芯片的公司感到非常振奮,未來也會持續(xù)提升45納米制程的良率,籌備將此項技術(shù)提供給客戶使用。 

據(jù)目前國內(nèi)晶圓大廠臺積電、聯(lián)電在45納米制程技術(shù)最新進展,臺積電45納米制程技術(shù)已最佳可做到零缺陷密度,聯(lián)電這次宣布成功量產(chǎn)測試芯片也代表其技術(shù)上的大躍進。至于試產(chǎn)時程,臺積電、聯(lián)電皆不約而同預(yù)估2007年下半將邁入試產(chǎn),這也使得臺積電、聯(lián)電在制程差距上時程不斷縮短。 

聯(lián)電表示,45納米制程技術(shù)配有微縮30%的設(shè)計規(guī)則,將具有微縮50%的六晶體管SRAM組件尺寸的能力,可較65納米制程高出30%的芯片效能。目前65納米制程目前已有數(shù)字客戶采用,并將于本季放量成長。目前主導(dǎo)聯(lián)電45納米制程的研發(fā)是在位于南臺灣的南部科學(xué)園區(qū)的12寸晶圓廠Fab12A。

除聯(lián)電外,其轉(zhuǎn)投資IC設(shè)計服務(wù)業(yè)者智原也宣布結(jié)合聯(lián)電先進制程0.13微米,開發(fā)出超高速32位CPU架構(gòu),可說聯(lián)電、及其旗下轉(zhuǎn)投資智原都全力朝先進制程挺進。
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