SEMI中國總裁丁輝文表示，“中國的投資趨勢不斷進化，相比之前的許多初級項目，未來許多更有前途的晶圓項目將落戶中國。那些帶來先進技術和重大外資的晶圓項目，更容易籌集資金和得到政府支持?！迸c此同時，中國半導體設備資本開支期待在2006年出現(xiàn)躍增，但預計2007年設備市場開支增長平緩。
SEMI在2006年稍早預測，中國在2006年到2008年間半導體設備開支將達74億美元，比上次預計的數(shù)字增加大約8.7億美元。2004年中國半導體產(chǎn)業(yè)處于迅速發(fā)展，該組織相信對中國市場寄予厚望。但隨后不少晶圓廠未能按計劃開工，因此半導體設備支出的數(shù)字已經(jīng)縮小。
但是，如果把晶圓工廠建設的其他基建和研發(fā)開支算上，SEMI預計中國在此期間的開支將超過98億美元。單獨設備一項，SEMI相信中國市場年度采購額就達30億美元，占全球的比例從2006年的6%增加到2009年的7%。如果中國半導體市場再次出現(xiàn)繁榮景象，那么這還是保守估計的數(shù)字。
SEMI表示，300毫米晶圓廠將推動70%的設備銷售，未來三年，至少有五座300毫米晶圓廠在建設和設備安裝之中，包括晶圓代工廠中芯國際、內存制造商海力士意法半導體和IDM/晶圓代工廠商華虹NEC。同時，SEMI表示，中芯國際將在2006和2007年占上述資本總體支出的一半左右。據(jù)稱，新的300毫米晶圓廠設備開支將主宰未來市場，入門級技術為0.13微米節(jié)點工藝。
SEMI表示，現(xiàn)在中國每年新建晶圓廠帶來的產(chǎn)能增加開始反映出真實的市場需求，到2008年，每年產(chǎn)能增長預計為16%。預計未來三年，半導體材料支出將穩(wěn)定增長。由于2006年建設的300毫米晶圓廠大部分將在2007年開始運作，2007年晶圓半導體材料支出可能比2006年增加58%。
但中國大陸新建晶圓廠與半導體制造設備未能象預期一樣長期保持高速增長，許多大陸芯片廠都在設法扭虧為盈。中國政府計劃興建多家200及300mm晶圓廠，這些工廠目前處于規(guī)劃階段。
據(jù)SEMI最近發(fā)表的一份報告，總體來看，2006-2008年中國半導體設備資本支出將超過98億美元，高于2001-2005年的87億美元。據(jù)SEMI，對于300mm工廠和先進工藝技術方面的投資，正在成為推動中國市場資本支出增長的主要因素。
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